Реактор: дротяний; SMD; 1812; 47мкГн; 280мА; R: 0,718Ом; ±20%; LQH

Немає в наявності
Код товару: LQH43PB470M26L
8,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: LQH43PB470M26L
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±20%
Індуктивність: 47мкГн
Корпус - дюйм: 1812
Корпус - мм: 4532
Монтаж: SMD
Опір: 0,718Ом
Робоча температура: -40...125°C
Робочий струм: 0,28А
Серія виробника: LQH
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 8МГц
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

2968,83 грн

Довжина кабелю:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
фіолетовий
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 82кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В
Резистор: вуглецевий; 82кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,31мм
Допуск:
±2%
Трансформатор: струмовий; DM; I AC: 200А; 2ВА; Iвтор.обм.1: 5А
Трансформатор: струмовий; DM; I AC: 200А; 2ВА; Iвтор.обм.1: 5А

1009,88 грн

Діаметр отвору:
23мм
Зовнішні розміри:
52x46,5x56,5мм
Клас точності:
1
Потужність:
2ВА
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 10,2кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
10,2кОм
Провід; MOTIONLINE® ADVANCED; 3x0,34мм2; ПВХ; сірий; 300В
Провід; MOTIONLINE® ADVANCED; 3x0,34мм2; ПВХ; сірий; 300В

81,73 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Викрутка: рукоятка викрутки; ESD; 1/4"; 105мм
Викрутка: рукоятка викрутки; ESD; 1/4"; 105мм

610,11 грн

Загальна довжина:
105мм
Модель:
ESD
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Тип викрутка:
рукоятка викрутки
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6,5нс
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6,5нс

574,00 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
128Мб DRAM
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 1,9А; R: 0,09Ом; ±10%; Ø8,7x12мм
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 1,9А; R: 0,09Ом; ±10%; Ø8,7x12мм

20,91 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
22мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; 0,84А; R: 0,15Ом
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; 0,84А; R: 0,15Ом

8,05 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
8,2мкГн
Корпус - мм:
0403
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; Iробочий: 3,23А; R: 60мОм; ±20%; DR
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; Iробочий: 3,23А; R: 60мОм; ±20%; DR

37,38 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
60мОм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; 1,41А; R: 0,07Ом; ±30%; 2,4x2,4x1мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; 1,41А; R: 0,07Ом; ±30%; 2,4x2,4x1мм

8,43 грн

Допуск:
±30%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
70мОм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; 230мА; R: 3,51Ом; ±20%; 3x3x1,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; 230мА; R: 3,51Ом; ±20%; 3x3x1,5мм

6,46 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
3,51Ом
Реактор: феритовий; THT; 220мкГн; 250мА; R: 3,3Ом; ±5%; Ø4x9,2мм
Реактор: феритовий; THT; 220мкГн; 250мА; R: 3,3Ом; ±5%; Ø4x9,2мм

17,74 грн

Високосортність:
70
Висота:
9,2мм
Діаметр:
4мм
Допуск:
±5%
Реактор: дротяний; THT; 1,8мГн; Iробочий: 500мА; R: 3Ом; ±15%
Реактор: дротяний; THT; 1,8мГн; Iробочий: 500мА; R: 3Ом; ±15%

22,17 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
10,5мм
Допуск:
±15%