Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; R: 22мОм; ±30%; LSXN; 5,25А

Немає в наявності
Код товару: LSXND5050YAL2R2NMG
6,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: LSXND5050YAL2R2NMG
Виробник: TAIYO YUDEN
Допуск: ±30%
Індуктивність: 2,2мкГн
Корпус - мм: 5050
Матеріал стержня: порошкове залізо; ферит
Монтаж: SMD
Опір: 22мОм
Опір макс.: 28,6мОм
Робоча температура: -25...125°C
Розміри: 4,9x4,9мм
Серія виробника: LSXN
Струм насичення: 5,25А
Тестова частота: 0,1МГц
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 42МГц
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; 230ВAC

3552,34 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60947-2; IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thick film; 27кОм; високої потужності; SMD; 2010; 2Вт
Резистор: thick film; 27кОм; високої потужності; SMD; 2010; 2Вт

3,67 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210

7,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7

267,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-7
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Недоступний
Рамка для модулів; розмір B06; Модулі: 2; HEAVYCON modular
Рамка для модулів; розмір B06; Модулі: 2; HEAVYCON modular

862,90 грн

Застосування - серія/виробник:
HEAVYCON modular
Корпус:
розмір B06
Кріплення вкладки:
44x27мм
Маркування:
A..B
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9,6÷14,4ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP7; THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9,6÷14,4ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP7; THT

185,00 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
9,6...14,4В DC
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 6,1x6,1x3мм; ферит; H: 3мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 6,1x6,1x3мм; ферит; H: 3мм

23,19 грн

Висота:
3мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 3,4А; ±20%; 7x6,5x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 3,4А; ±20%; 7x6,5x1,8мм

30,09 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; 6x5,4x3мм; 6А; Вим: 6x5,4x3мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; 6x5,4x3мм; 6А; Вим: 6x5,4x3мм

22,36 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; SBC; 12x15мм; 930мА; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; SBC; 12x15мм; 930мА; ферит

69,06 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
26мм
Діаметр:
15мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 18,3x17,2x7мм; 22А; H: 6,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 18,3x17,2x7мм; 22А; H: 6,7мм

148,25 грн

Висота:
6,7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Реактор: дротяний; THT; 15мкГн; ±10%; RLB; 5,3А; Вив: радіальні
Реактор: дротяний; THT; 15мкГн; ±10%; RLB; 5,3А; Вив: радіальні

11,85 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
50
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
9,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 3,8x3,4x1,5мм; 3,8А; H: 1,3мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 3,8x3,4x1,5мм; 3,8А; H: 1,3мм

33,32 грн

Висота:
1,3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн