Реактор: дротяний; SMD; 2525; 150мкГн; 420мА; R: 0,63Ом; ±20%; LQH

Немає в наявності
Код товару: LQH66SN151M03L
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 350
Крок додавання: 350
Код товару: LQH66SN151M03L
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±20%
Індуктивність: 0,15мГн
Корпус - дюйм: 2525
Корпус - мм: 6363
Монтаж: SMD
Опір: 0,63Ом
Робоча температура: -40...80°C
Робочий струм: 0,42А
Серія виробника: LQH
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 5МГц
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; 2-wire; 10кОм; 6бит; SO20; SMD; Ch: 4
IC: цифровий потенціометр; 2-wire; 10кОм; 6бит; SO20; SMD; Ch: 4

712,11 грн

Вид пам’яті:
енергонезалежний
Інтерфейс:
2-wire
Кількість всіх позицій:
64
Кількість каналів:
4
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; SPI; 2Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; SPI; 2Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SO8

20,53 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Резистор: thin film; 86,6кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 86,6кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм

42,45 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

124,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
25,8мм
Резистор: вуглецевий; 12Ом; THT; 500мВт; ±5%; осьові; 9мм
Резистор: вуглецевий; 12Ом; THT; 500мВт; ±5%; осьові; 9мм

0,59 грн

Виводи:
осьові
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 158кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 158кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією