Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; R: 60мОм; ±20%; LBXN; 2,27А

Немає в наявності
Код товару: LBXND5050WKT4R7MMG
8,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: LBXND5050WKT4R7MMG
Виробник: TAIYO YUDEN
Допуск: ±20%
Індуктивність: 4,7мкГн
Корпус - мм: 5050
Матеріал стержня: порошкове залізо; ферит
Монтаж: SMD
Опір: 60мОм
Опір макс.: 72мОм
Робоча температура: -40...125°C
Розміри: 4,9x4,9мм
Серія виробника: LBXN
Струм насичення: 2,27А
Тестова частота: 0,1МГц
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 37МГц
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; UFBGA40; I2C,IrDA,JTAG,SPI x2,UART
IC: мікроконтролер MSP430; UFBGA40; I2C,IrDA,JTAG,SPI x2,UART

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
I2C; IrDA; JTAG; SPI x2; UART
Кількість каналів PWM:
9
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

254,69 грн

Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252

33,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 43В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 43В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

702,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
43В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 75нГн; 270мА; R: 0,56Ом; ±2%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 75нГн; 270мА; R: 0,56Ом; ±2%; LQW; 180мм

5,70 грн

Високосортність:
34
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
75нГн
Реактор: дротяний; THT; L: 120мкГн; 5А; R: 45мкОм; 20x35мм; -25÷105°C
Реактор: дротяний; THT; L: 120мкГн; 5А; R: 45мкОм; 20x35мм; -25÷105°C

233,15 грн

Виводи:
радіальні
Індуктивність:
120мкГн
Індуктивність одинарної обмотки:
120мкГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 8,2мкГн; Iробочий: 8,61А; ±20%; 5,4мм
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 8,2мкГн; Iробочий: 8,61А; ±20%; 5,4мм

69,06 грн

Висота:
5,4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 5,6мкГн; 175мА; R: 2,8Ом; ±10%; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 5,6мкГн; 175мА; R: 2,8Ом; ±10%; ферит

17,42 грн

Високосортність:
20
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RF
Індуктивність:
5,6мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 200нГн; 120мА; R: 2,4Ом; ±2%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 200нГн; 120мА; R: 2,4Ом; ±2%; LQW; 180мм

6,34 грн

Високосортність:
25
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
0,2мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; Iробочий: 8,6А; ±20%; 5,3x5x3мм
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; Iробочий: 8,6А; ±20%; 5,3x5x3мм

28,38 грн

Висота:
3мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; THT; 2,2мкГн; Iробочий: 115А; ±20%; Isat: 104А
Реактор: дротяний; THT; 2,2мкГн; Iробочий: 115А; ±20%; Isat: 104А

2608,97 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
21,9мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн