Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 2010; 0,5Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

Немає в наявності
Код товару: 2010W2F100JT4E
5,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: 2010W2F100JT4E
Виробник: ROYALOHM
Допуск: ±1%
Імпульсна макс. напруга: 500В
Корпус - дюйм: 2010
Корпус - мм: 5025
Монтаж: SMD
Опір: 10Ом
Потужність: 0,5Вт
Робоча напруга: 200В
Робоча температура: -55...155°C
Температурний коефіцієнт: 400ppm/°C
Тип резистора: thick film
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,17 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Діод: випрямний; THT; 800В; 8А; Ifsm: 66А; SOD113,TO220FP-2; туба
Діод: випрямний; THT; 800В; 8А; Ifsm: 66А; SOD113,TO220FP-2; туба

53,85 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
SOD113; TO220FP-2
Монтаж:
THT
Недоступний
Викрутка: ізольований; slim; Pozidriv®; PZ2; 100мм
Викрутка: ізольований; slim; Pozidriv®; PZ2; 100мм

469,46 грн

Відповідність стандарту:
IEC 60900
Довжина леза:
100мм
Модель:
Slim
Розмір грота:
PZ2
Недоступний
Резистор: thin film; 91кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 91кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO251

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 12А; 12A/250ВAC; R2
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 12А; 12A/250ВAC; R2

819,18 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Зовнішні розміри:
75x27x82мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Матеріал контакту:
AgNi
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,75 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; 150В; -55÷125°C

4,50 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thin film; 28Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; 1,55x0,8x0,45мм
Резистор: thin film; 28Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; 1,55x0,8x0,45мм

23,50 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Опір:
28Ом
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RP; -55÷155°C
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RP; -55÷155°C

0,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 5,1кОм; 0402; 63мВт,100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1кОм; 0402; 63мВт,100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,63 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C

7,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210