1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: thin film; SMD; 0402; 1,2нГн; 850мА; R: 120мОм; ±0,1нГн

Реактор: thin film; SMD; 0402; 1,2нГн; 850мА; R: 120мОм; ±0,1нГн
Немає в наявності
Код товару: AL02BT1N202
0,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AL02BT1N202
Виробник: Viking
Високосортність: 16
Допуск: ±0,1нГн
Індуктивність: 1,2нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 0,12Ом
Робочий струм: 0,85А
Тестова частота: 500МГц
Тип реактора: thin film
Частота резонансна: 12ГГц
Недоступний
Резистор: thin film; 62Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 62Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; M8 ALTW; проводи
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; M8 ALTW; проводи

205,90 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,15м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 500В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 500В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

1,88 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 2,7÷3,6В; DIP8; -40÷125°C; туба; 400нс
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 2,7÷3,6В; DIP8; -40÷125°C; туба; 400нс

57,65 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
DIP8
Робоча напруга:
2,7...3,6В
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 2нГн; 200мА; -25÷85°C
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 2нГн; 200мА; -25÷85°C

2,47 грн

Індуктивність:
2нГн
Корпус - дюйм:
0201
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-25...85°C
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 13,8x12,5x5мм; 44А; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 13,8x12,5x5мм; 44А; H: 5мм

157,12 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Реактор: дротяний; THT; 39мкГн; Iробочий: 1А; R: 298мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 39мкГн; Iробочий: 1А; R: 298мОм; ±10%

7,41 грн

Виводи:
2pin
Висота:
7,5мм
Діаметр:
5,5мм
Допуск:
±10%
SMD; 6,2нГн; Iробочий: 305мА; Isat: 305мА; Вим: 0,6x0,3x0,3мм
SMD; 6,2нГн; Iробочий: 305мА; Isat: 305мА; Вим: 0,6x0,3x0,3мм

0,37 грн

Високосортність:
14
Висота:
0,3мм
Індуктивність:
6,2нГн
Корпус - мм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±20%; 13,8x12,9x5мм; 80А; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±20%; 13,8x12,9x5мм; 80А; H: 5мм

62,09 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,1мкГн
C504 10M006 118 3 U
C504 10M006 118 3 U

1,10 грн

Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 14А; порошкове залізо; 7мм
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 14А; порошкове залізо; 7мм

236,95 грн

Висота:
7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн