Діод: TVS; 0,5кВт; 17,1В; 19,9А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

Немає в наявності
Код товару: JANTXV1N6112AUS
983,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Код товару: JANTXV1N6112AUS
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Зворотна напруга макс.: 13,7В
Кількість каналів: 1
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 17,1В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,5кВт
Робоча температура: -55...175°C
Структура напівпровідника: двоспрямована
Струм в імпульсі макс.: 19,9А
Тип діода: TVS
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; R: 60мОм; ±20%; LBXN; 2,27А
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; R: 60мОм; ±20%; LBXN; 2,27А

8,62 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - мм:
5050
Матеріал стержня:
порошкове залізо; ферит
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

254,69 грн

Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252

33,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 43В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 43В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

702,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
43В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Діод: TVS; 1,5кВт; 332÷368В; 3,2А; двоспрямована; ±5%; SMC; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 332÷368В; 3,2А; двоспрямована; ±5%; SMC; 1.5SMC

67,16 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
300В
Корпус:
SMC
Діод: TVS; 0,6кВт; 33,3÷36,8В; 12,4А; двоспрямована; ±5%; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 33,3÷36,8В; 12,4А; двоспрямована; ±5%; SMB; SMBJ

29,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMB
Діод: TVS; 0,4кВт; 7,22В; 35,7А; двоспрямована
Діод: TVS; 0,4кВт; 7,22В; 35,7А; двоспрямована

4,88 грн

Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
7,22В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі:
0,4кВт
Структура напівпровідника:
двоспрямована
DO214AC,SMA
DO214AC,SMA

13,43 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 0,6кВт; 94В; 4,6А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 94В; 4,6А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

4,12 грн

Зворотна напруга макс.:
85В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 3кВт; 28,9В; 71А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 28,9В; 71А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

19,89 грн

Ємність:
0,15нФ
Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Діод: TVS; 400Вт; 13,3÷14,7В; 20,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AC
Діод: TVS; 400Вт; 13,3÷14,7В; 20,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AC

13,30 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
12В