1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Діоди
  4. Запобіжні діоди
  5. Діоди TVS SMD
  6. Діоди TVS SMD однонаправлені

Діод: TVS; 6,6кВт; 24,4В; 186А; односпрямована; DO218AB; TLD8S

Діод: TVS; 6,6кВт; 24,4В; 186А; односпрямована; DO218AB; TLD8S
Немає в наявності
Код товару: TLD8S22AH
132,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TLD8S22AH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.: 22В
Корпус: DO218AB
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 24,4В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 6,6кВт
Серія виробника: TLD8S
Структура напівпровідника: односпрямована
Струм в імпульсі макс.: 186А
Тип діода: TVS
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 31,4В; 8,8А; односпрямована; DO41; TransZorb®
Діод: TVS; 400Вт; 31,4В; 8,8А; односпрямована; DO41; TransZorb®

9,44 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
28,2В
Корпус:
DO41
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; NPN x2; DARK-ON,LIGHT-ON; 100мА; 0,1÷10с
Датчик: фотоелектричний; NPN x2; DARK-ON,LIGHT-ON; 100мА; 0,1÷10с

11236,93 грн

Властивості датчиків:
реле часу
Зовнішні розміри:
35x80x81,5мм
Клас герметичності:
IP20
Конфігурація виходу:
NPN x2
Недоступний
IC: аудіоінтерфейс; рація; DSP,GPIO,I2S,S/PDIF; 2,7÷3,6ВDC
IC: аудіоінтерфейс; рація; DSP,GPIO,I2S,S/PDIF; 2,7÷3,6ВDC

523,27 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
DSP; GPIO; I2S; S/PDIF
Кількість передавачів:
1
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 15÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1А; SMT; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 15÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1А; SMT; OUT: 1

488,42 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
15...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 288Вт; 25,21нс
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 288Вт; 25,21нс

267,97 грн

Монтаж:
THT
Потужність розсіювання:
288Вт
Технологія:
SiC
Тип транзистора:
N-MOSFET
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO + NC; 15мм; 10÷40ВDC; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO + NC; 15мм; 10÷40ВDC; 2м; IP67

3272,00 грн

Дальність:
15мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO + NC
Діод: TVS; 0,2кВт; 22,2÷24,5В; 6,2А; односпрямована; ±5%; SOD123F
Діод: TVS; 0,2кВт; 22,2÷24,5В; 6,2А; односпрямована; ±5%; SOD123F

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
20В
Діод: TVS; 1,5кВт; 36В; 30А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SZ1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 36В; 30А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SZ1.5SMC

61,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
30,8В
Діод: TVS; 1,5кВт; 18,75В; 57,7А; односпрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 1,5кВт; 18,75В; 57,7А; односпрямована; ±5%; DO214AB

46,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
16В
Діод: TVS; 1,5кВт; 13,3÷14,7В; 75,4А; односпрямована; ±5%; SMB
Діод: TVS; 1,5кВт; 13,3÷14,7В; 75,4А; односпрямована; ±5%; SMB

16,47 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
SMB
Діод: TVS; 0,4кВт; 50÷55,3В; 5,5А; односпрямована; ±5%; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 50÷55,3В; 5,5А; односпрямована; ±5%; SMA; SMAJ

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
SMA
Діод: TVS; 600Вт; 13В; 33,5А; односпрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB
Діод: TVS; 600Вт; 13В; 33,5А; односпрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
11,1В
Корпус:
DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 6,67÷7,37В; 58,3А; односпрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 6,67÷7,37В; 58,3А; односпрямована; ±5%; DO214AA

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
6В