1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

40В; 13,5А; SOP8; Канал: збагачений; 2Вт

40В; 13,5А; SOP8; Канал: збагачений; 2Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SH8KB7TB1
46,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 87
Код товару: SH8KB7TB1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 8,4мОм
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 13,5А
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 14,4В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка; -65÷150°C
Діод: TVS; 3кВт; 14,4В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка; -65÷150°C

74,76 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
13В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Провід; YKSYFtZny; 37G1,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu; дріт
Провід; YKSYFtZny; 37G1,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu; дріт

1088,45 грн

Bластивості проводів:
сталеве озброєння
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
Кабель: до датчиків; PIN: 6; неекранований; вилка; ПВХ; IP68
Кабель: до датчиків; PIN: 6; неекранований; вилка; ПВХ; IP68

2029,27 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
6
Клас герметичності:
IP68
Модель роз’єму:
неекранований
Діод: TVS; 600Вт; 43В; 10,3А; односпрямована; ±5%; DO15; P6KE
Діод: TVS; 600Вт; 43В; 10,3А; односпрямована; ±5%; DO15; P6KE

49,42 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Ключ: шестигранний; HEX 5мм; Довж.заг: 78мм; ProTanium®,сталь
Ключ: шестигранний; HEX 5мм; Довж.заг: 78мм; ProTanium®,сталь

19,96 грн

Загальна довжина:
78мм
Матеріал:
ProTanium®; сталь
Розмір ключа:
HEX 5мм
Тип ключа:
шестигранний
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 54,88В; 4,9А; односпрямована; DO219AB,SMF
Діод: TVS; 400Вт; 54,88В; 4,9А; односпрямована; DO219AB,SMF

12,99 грн

Зворотна напруга макс.:
46,8В
Корпус:
DO219AB; SMF
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
54,88В
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 167В; 6,2А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 167В; 6,2А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

84,90 грн

Зворотна напруга макс.:
150В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 20А; 1,5Вт; SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 20А; 1,5Вт; SOT23-6

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 45/50А; 26/27,1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 45/50А; 26/27,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,8/15нКл
Корпус:
PDFN5060D-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 12,5А; Idm: 50А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 12,5А; Idm: 50А; 3,1Вт; SOP8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 6,8А; Idm: 44А; 7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 6,8А; Idm: 44А; 7Вт

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
Half-Bridge Power MOSFET
Заряд затвора:
12нКл
Транзистор: P-MOSFET x2; -12В; -2А; 1Вт; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET x2; -12В; -2А; 1Вт; TUMT6

8,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 27А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 27А; HSOP8; ESD

44,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD