744383340068 Дросель силовий SMD, екранований, WE-MAPI

3 тижні, гарантія низької ціни
Код товару: 744383340068
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 744383340068
Виробник: Wurth Elektronik
Datasheet: https://www.we-online.com/components/products/datasheet/744383340068.pdf
Індуктивність: 0.68 µH
Номінальний струм: 5.15 A
Опір постійному струму (DCR): 36 mΩ
Робоча напруга: 80 В
Струм насичення (Isat): 10 A
Частота власного резонансу: 100 MHz
WE-MAPI — це один із найменших у світі силових дроселів із осердям із металевого сплаву. Він вирізняється надзвичайною ефективністю, а тепер доступний у нових типорозмірах і версіях із розширеним температурним діапазоном (серія 4020HT), що відповідають вимогам стандарту AEC-Q200 (клас 0) для роботи за температур від -55 °C до +150 °C.

Цей силовий дросель розроблено для імпульсних регуляторів напруги останнього та майбутніх поколінь. Він вражає інноваційним матеріалом осердя на основі металевого сплаву. Безкаркасна конструкція з безпосереднім підключенням обмотки значно збільшує ефективний магнітний об’єм і, як наслідок, щільність потужності.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм

7,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 60,9В; 7А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 60,9В; 7А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ

3,40 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
54В
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3÷14,7В; 30,2А; односпрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3÷14,7В; 30,2А; односпрямована; SMB; SMBJ

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,4В; 8,4А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,4В; 8,4А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

13,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
40В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN40; I2C,JTAG,SPI,UART; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN40; I2C,JTAG,SPI,UART; 1,8÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI; UART
Кількість каналів PWM:
6
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 1кВ; X7R; ±10%; THT; 5мм; 7,5x5,5x4мм
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 1кВ; X7R; ±10%; THT; 5мм; 7,5x5,5x4мм

14,25 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; Iробочий: 30,7А; R: 1,9мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; Iробочий: 30,7А; R: 1,9мОм; ±20%

31,68 грн

Alias:
UPI2X10830LR22
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 10нГн; ±5%; 200мОм; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 10нГн; ±5%; 200мОм; -40÷125°C

5,89 грн

Високосортність:
21
Допуск:
±5%
Індуктивність:
10нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; R: 161,8мОм; ±20%; 5,6x5,2x2мм
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; R: 161,8мОм; ±20%; 5,6x5,2x2мм

72,86 грн

Висота:
2мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Реактор: дротяний; SMD; 330нГн; Iробочий: 27,7А; R: 2,4мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 330нГн; Iробочий: 27,7А; R: 2,4мОм; ±20%

39,28 грн

Alias:
UPI2X10840LR33
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,33мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; Iробочий: 1А; ±30%; 9,5x8,3x4,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; Iробочий: 1А; ±30%; 9,5x8,3x4,5мм

100,74 грн

Висота:
4,5мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
68мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Реактор: дротяний з компенсацією; THT; 6,9мГн; R: 10мОм; -30÷50%
Реактор: дротяний з компенсацією; THT; 6,9мГн; R: 10мОм; -30÷50%

1077,04 грн

Допуск:
-30...50%
Індуктивність:
6,9мГн
Максимальна напруга:
425В DC
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 27нГн; 1А; ±2%; 2,92x2,79x2,29мм
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 27нГн; 1А; ±2%; 2,92x2,79x2,29мм

5,89 грн

Високосортність:
55
Висота:
2,29мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
27нГн