Датчик: фотоелектричний; Дальність: 20÷250мм; PNP; на відбиття

Немає в наявності
Код товару: WTB12-3P2411
17392,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WTB12-3P2411
Виробник: SICK
Властивості датчиків: регулювання чутливості
Дальність: 0,02...0,25м
Зовнішні розміри: 15,6x48,5x42мм
Кількість пін: 4
Клас герметичності: IP67
Конфігурація виходу: PNP
Напруга живлення: 10...30В DC
Підключення: М12 "папа"
Режими роботи датчика: DARK-ON; LIGHT-ON
Робоча температура: -40...60°C
Спосіб спрацювання: на відбиття
Струм робочий макс.: 0,1А
Тип датчика: фотоелектричний
Частота перемикання макс.: 1,5кГц
Недоступний
Ключ: накидний; двосторонній; 12мм,13мм; L: 164мм
Ключ: накидний; двосторонній; 12мм,13мм; L: 164мм

439,69 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 837
Властивості ключів:
поверхня ключів хромована
Довжина:
164мм
Недоступний
Резистор: thin film; 28,4Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 28,4Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

3,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 43Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 43Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 18А; 28,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 18А; 28,4Вт; TO220-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220-3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 10,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 10,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Симістор; 600В; 6А; Igt: 25/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 4Q
Симістор; 600В; 6А; Igt: 25/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 4Q

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Датчик: фотоелектричний
Датчик: фотоелектричний

7140,78 грн

Тип датчика:
фотоелектричний
Датчик: фотоелектричний
Датчик: фотоелектричний

8826,04 грн

Тип датчика:
фотоелектричний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷0,7м; SPDT; на відбиття
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷0,7м; SPDT; на відбиття

9893,58 грн

Властивості датчиків:
регулювання чутливості
Дальність:
0...0,7м
Зовнішні розміри:
25x75x65мм
Клас герметичності:
IP66
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷1м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷1м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

5568,94 грн

Дальність:
0...1м
Зовнішні розміри:
10,8x20x31мм
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷15м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷15м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

8265,98 грн

Дальність:
0...15м
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 200мм; PNP; LIGHT-ON; 50мА
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 200мм; PNP; LIGHT-ON; 50мА

7294,74 грн

Дальність:
0,2м
Довжина відводів:
2м
Довжина хвилі λd:
650нм
Зовнішні розміри:
11x7x24,5мм; 11x24,5x7мм
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 2м; NPN / PNP; на відбиття
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 2м; NPN / PNP; на відбиття

13226,70 грн

Дальність:
2м
Довжина відводів:
2м
Зовнішні розміри:
20x23x50мм
Клас герметичності:
IP67