1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Діоди
  4. Універсальні діоди
  5. Діоди інші

Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; AX (Ø4.45x2.16mm); Ubr: 64,6В; 4пФ

Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; AX (Ø4.45x2.16mm); Ubr: 64,6В; 4пФ
Немає в наявності
Код товару: MX1N8171
1580,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Код товару: MX1N8171
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ємність: 4пФ
Зворотна напруга макс.: 300В
Кількість каналів: 1
Корпус: AX (Ø4.45x2.16mm)
Монтаж: THT
Напруга пробою: 64,6В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,15кВт
Робоча температура: -55...175°C
Тип діода: TVS+FRD
Конденсатор: поліпропиленовий; 0,15мкФ; 450ВDC; 15мм; ±2%; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 0,15мкФ; 450ВDC; 15мм; ±2%; THT

127,34 грн

Допуск:
±2%
Ємність:
0,15мкФ
Застосування конденсаторів:
аудіопристрої
Кліматична категорія:
25/085/21
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,3Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
18...18,96В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В

1237,33 грн

Довжина проводу:
7,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; 40мкА; туба
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; 40мкА; туба

63,17 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 128кБEEPROM; I2C; 16Кx8бит; TDFN8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 128кБEEPROM; I2C; 16Кx8бит; TDFN8; послідовний

25,79 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
TDFN8
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT23; подвійний,спільний анод
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT23; подвійний,спільний анод

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
175В
Корпус:
SOT23
Діод: TVS; 38,1В; 35А; D13x10.7W; анод на дроті; Ifsm: 74А; Ir: 5мкА
Діод: TVS; 38,1В; 35А; D13x10.7W; анод на дроті; Ifsm: 74А; Ir: 5мкА

45,62 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
діод генератора
Допуск:
±10%
Зворотна напруга макс.:
38,1В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В

14,13 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX078 (Ø4x5mm)
Монтаж:
THT
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм

16263,96 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.:
3,2кВ
Монтаж:
Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування:
0,89В
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOD323; одиночний діод
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOD323; одиночний діод

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SOD323
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; 2F; 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; 2F; 5мкА; Ubr: 145В

41,81 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
2F
Монтаж:
SMD
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В

7,60 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX078 (Ø4x5mm)
Монтаж:
THT