Діод: TVS; 0,4кВт; 10÷11,1В; 26А; односпрямована; SOD123HE; P4HE

Немає в наявності
Код товару: P4HE9.0A_R1_00001
4,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: P4HE9.0A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.: 9В
Корпус: SOD123HE
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 10...11,1В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,4кВт
Серія виробника: P4HE
Структура напівпровідника: односпрямована
Струм витоку: 0,5мкА
Струм в імпульсі макс.: 26А
Тип діода: TVS
PIN: 5; чорний; луджений; 2,54мм; 22AWG
PIN: 5; чорний; луджений; 2,54мм; 22AWG

300,30 грн

Діаметр жили:
22AWG
Кількість пін:
5
Колір ізоляції:
чорний
Покриття контакту:
луджений
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 16,7÷18,5В; 16,4А; односпрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 16,7÷18,5В; 16,4А; односпрямована; DO214AC,SMA

4,82 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
15В
Генератор; 50МГц; SMD; 7x5x1,3мм; 12пФ; ±50ppm; 1,8ВDC; -40÷85°C
Генератор; 50МГц; SMD; 7x5x1,3мм; 12пФ; ±50ppm; 1,8ВDC; -40÷85°C

91,23 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
1,8В DC
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Діод: TVS; 1,5кВт; 13,3В; 75,3А; односпрямована; SMC; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 13,3В; 75,3А; односпрямована; SMC; ролик,cтрічка

33,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
SMC
Діод: TVS; 600Вт; 15В; 28,8А; односпрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB
Діод: TVS; 600Вт; 15В; 28,8А; односпрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB

13,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
12,8В
Корпус:
DO214AA
Діод: TVS; 400Вт; 13,3÷14,7В; 20,1А; односпрямована; ±5%; DO214AC
Діод: TVS; 400Вт; 13,3÷14,7В; 20,1А; односпрямована; ±5%; DO214AC

20,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
12В
Діод: TVS; 600Вт; 180В; 2,5А; односпрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB
Діод: TVS; 600Вт; 180В; 2,5А; односпрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB

24,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
154В
Корпус:
DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 28,9÷31,9В; 14,3А; односпрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 28,9÷31,9В; 14,3А; односпрямована; ±5%; DO214AA

17,74 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
26В
Діод: TVS; 600Вт; 71,1÷78,6В; 5,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 71,1÷78,6В; 5,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA

16,47 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64В
Діод: TVS; 1,5кВт; 30,4В; 35,7А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 30,4В; 35,7А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
26В