Діод: TVS; 1,5кВт; 24,4В; 42,2А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

Немає в наявності
Код товару: SMCJ22CAE3/TR13
29,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SMCJ22CAE3/TR13
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.: 22В
Кількість каналів: 1
Корпус: DO214AB; SMC
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 24,4В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 1,5кВт
Робоча температура: -65...150°C
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Структура напівпровідника: двоспрямована
Струм витоку: 1мкА
Струм в імпульсі макс.: 42,2А
Тип діода: TVS
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; Р.стрічки: 0,5мм; Жили: 28
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; Р.стрічки: 0,5мм; Жили: 28

49,42 грн

Вид матеріалу:
негалогенний
Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
304мм
Номінальна напруга:
60В
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,6Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C

0,13 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 7,87МОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,87МОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
7,87МОм
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 0,6x0,3x0,23мм
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 0,6x0,3x0,23мм

0,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3x0,23мм
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; 1 x Li-Ion / Li-Po
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; 1 x Li-Ion / Li-Po

171,06 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер зарядки акумуляторів
Інтерфейс:
I2C
Кількість акумуляторів:
1 x Li-Ion / Li-Po
Корпус:
DSBGA15
Недоступний
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 33А; Idm: 70А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 33А; Idm: 70А; SO8

93,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
122нКл
Корпус:
SO8
Діод: TVS; 600Вт; 39В; 11,1А; двоспрямована; ±5%; SMB; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 600Вт; 39В; 11,1А; двоспрямована; ±5%; SMB; ролик,cтрічка

34,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
33,3В
Корпус:
SMB
Діод: TVS; 600Вт; 6,8В; 58,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB
Діод: TVS; 600Вт; 6,8В; 58,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
5,8В
Корпус:
DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 178÷197В; 2,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 178÷197В; 2,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; SMBJ

23,82 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
160В
Діод: TVS; 600Вт; 47,8÷52,8В; 8,7А; двоспрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 47,8÷52,8В; 8,7А; двоспрямована; ±5%; DO214AA

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
43В
Діод: TVS; 600Вт; 9,44÷10,4В; 41,7А; двоспрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 9,44÷10,4В; 41,7А; двоспрямована; ±5%; DO214AA

28,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
8,5В
Діод: TVS; 1,5кВт; 411,5В; 2,6А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 411,5В; 2,6А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

48,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
350В
Діод: TVS; 1,5кВт; 8,19В; 125А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 8,19В; 125А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

4,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
7В