Діод: TVS; 11,73В; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

Немає в наявності
Код товару: JANS1N6109
3974,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 50
Код товару: JANS1N6109
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Зворотна напруга макс.: 9,9В
Кількість каналів: 1
Монтаж: THT
Напруга пробою: 11,73В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,5кВт
Робоча температура: -55...175°C
Структура напівпровідника: двоспрямована
Тип діода: TVS
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD

3,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323
Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323

6,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
30В
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 550МГц; TFBGA129; 1,62÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 550МГц; TFBGA129; 1,62÷3,6ВDC

465,03 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN FD; Ethernet; GPIO; HDMI CEC; I2C; I2S; LPUART; MDIO; PDM; SAI; SDMMC; SPDIF; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
74
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 16А; 73Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 16А; 73Вт; PQFN8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
PQFN8
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C
Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C

103,27 грн

Індуктивність:
45мкГн
Монтаж:
THT
Опір:
70мОм
Робоча температура:
-25...105°C
Діод: TVS; 82В; 13,5А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 82В; 13,5А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE

39,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
70,1В
Діод: TVS; 130В; 8,5А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 130В; 8,5А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE

46,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
111В
Діод: TVS; 550В; 2А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 550В; 2А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE

34,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
468В
Діод: TVS; 12В; 36,5А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт; P6KE
Діод: TVS; 12В; 36,5А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт; P6KE

28,51 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
10,2В
Діод: TVS; 75В; 5,9А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт; P6KE
Діод: TVS; 75В; 5,9А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт; P6KE

41,81 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64,1В
Діод: TVS; 160В; 7,1А; двоспрямована; ±5%; Ø5,4x7,5мм; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 160В; 7,1А; двоспрямована; ±5%; Ø5,4x7,5мм; 1,5кВт; 1.5KE

15,84 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
136В
Монтаж:
THT
Діод: TVS; 82В; 13,9А; двоспрямована; ±5%; Ø5,4x7,5мм; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 82В; 13,9А; двоспрямована; ±5%; Ø5,4x7,5мм; 1,5кВт; 1.5KE

35,48 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
70,1В
Монтаж:
THT