Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; QuadroMELF; 1,2А; Ubr: 86,5В; 4пФ

Немає в наявності
Код товару: MS1N8174US
7970,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Код товару: MS1N8174US
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ємність: 4пФ
Зворотна напруга макс.: 300В
Кількість каналів: 1
Корпус: QuadroMELF
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 86,5В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,15кВт
Робоча температура: -55...175°C
Струм в імпульсі макс.: 1,2А
Тип діода: TVS+FRD
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 27Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C

0,22 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
27Ом
Недоступний
IC: датчик температури; -55÷125°C; SOT23-6; SMD; Точність: ±1°C
IC: датчик температури; -55÷125°C; SOT23-6; SMD; Точність: ±1°C

377,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Діапазон вимірювання температури:
-55...125°C
Інтерфейс:
I2C; SMBus
Корпус:
SOT23-6
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 10÷120мм; PNP / NO; 200мА
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 10÷120мм; PNP / NO; 200мА

6408,40 грн

Дальність:
10...120мм
Довжина відводів:
2м
Зовнішні розміри:
182x40x210мм
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
22Ом
Недоступний
IC: PMIC; Uвх: 2,5÷5,5В; Uвих: 0,6÷5,5В; SOT563; buck; 95%
IC: PMIC; Uвх: 2,5÷5,5В; Uвих: 0,6÷5,5В; SOT563; buck; 95%

6,84 грн

Вихідна напруга:
0,6...5,5В
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
2,5...5,5В
ККД:
95%
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CY; 25G0,75мм2; ПВХ; прозорий
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CY; 25G0,75мм2; ПВХ; прозорий

929,42 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм

7,41 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Діод: перемикальний; 35В; 100мА; SOD323; одиночний діод; Ir: 20нА
Діод: перемикальний; 35В; 100мА; SOD323; одиночний діод; Ir: 20нА

9,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Ємність:
0,6...1,4пФ
Зворотна напруга макс.:
35В
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT23; подвійний,спільний анод
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT23; подвійний,спільний анод

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
175В
Корпус:
SOT23
Діод: TVS; 38,1В; 35А; D13x10.7W; анод на дроті; Ifsm: 74А; Ir: 5мкА
Діод: TVS; 38,1В; 35А; D13x10.7W; анод на дроті; Ifsm: 74А; Ir: 5мкА

45,62 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
діод генератора
Допуск:
±10%
Зворотна напруга макс.:
38,1В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В

14,13 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX078 (Ø4x5mm)
Монтаж:
THT
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм

16263,96 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.:
3,2кВ
Монтаж:
Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування:
0,89В
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOD323; одиночний діод
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOD323; одиночний діод

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SOD323
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; 2F; 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; 2F; 5мкА; Ubr: 145В

41,81 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
2F
Монтаж:
SMD