Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; QuadroMELF; Ubr: 22,8В

Немає в наявності
Код товару: MQ1N8160US
1448,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Код товару: MQ1N8160US
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Зворотна напруга макс.: 300В
Кількість каналів: 1
Корпус: QuadroMELF
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 22,8В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,15кВт
Робоча температура: -55...175°C
Тип діода: TVS+FRD
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 144÷159В; 1,9А; односпрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 144÷159В; 1,9А; односпрямована; SMA; SMAJ

3,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
130В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD

7,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS

281,93 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Інтерфейс:
16bit SPI; FlexCAN x2; I2C; UART x2
Кількість входів/виходів:
58
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Роз’єм: M12; промислова; M; прямий; латунь; латунь; -40÷105°C
Роз’єм: M12; промислова; M; прямий; латунь; латунь; -40÷105°C

73,49 грн

Connector family:
промислова
Матеріал корпусу:
латунь
Просторова орієнтація:
прямий
Робоча температура:
-40...105°C
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67В; 38,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67В; 38,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: driver; контролер затворів; SO20-W; 4А; Ch: 2; 5кВ
IC: driver; контролер затворів; SO20-W; 4А; Ch: 2; 5кВ

480,87 грн

Вид виходу:
що інвертує; що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів
Вихідний струм:
4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Діод: перемикальний; 35В; 100мА; SOD323; одиночний діод; Ir: 20нА
Діод: перемикальний; 35В; 100мА; SOD323; одиночний діод; Ir: 20нА

9,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Ємність:
0,6...1,4пФ
Зворотна напруга макс.:
35В
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT23; подвійний,спільний анод
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT23; подвійний,спільний анод

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
175В
Корпус:
SOT23
Діод: TVS; 38,1В; 35А; D13x10.7W; анод на дроті; Ifsm: 74А; Ir: 5мкА
Діод: TVS; 38,1В; 35А; D13x10.7W; анод на дроті; Ifsm: 74А; Ir: 5мкА

45,62 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
діод генератора
Допуск:
±10%
Зворотна напруга макс.:
38,1В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В

14,13 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX078 (Ø4x5mm)
Монтаж:
THT
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм

16263,96 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.:
3,2кВ
Монтаж:
Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування:
0,89В
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOD323; одиночний діод
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOD323; одиночний діод

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SOD323
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; 2F; 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; 2F; 5мкА; Ubr: 145В

41,81 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
2F
Монтаж:
SMD