Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; QuadroMELF; Ubr: 34,2В

Немає в наявності
Код товару: MV1N8164US
1718,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Код товару: MV1N8164US
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Зворотна напруга макс.: 300В
Кількість каналів: 1
Корпус: QuadroMELF
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 34,2В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,15кВт
Робоча температура: -55...175°C
Тип діода: TVS+FRD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14; 9мВ

0,00 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 300МГц; Архітектура: Cortex M7; 1МБFLASH
IC: мікроконтролер ARM; 300МГц; Архітектура: Cortex M7; 1МБFLASH

701,34 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
CAN x2; EBI; EMI; Ethernet; I2C; I2C x3; IrDA; MMC; QSPI; UART; USART; USB
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4Н

163,46 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Монтаж:
на панель
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8

18,18 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
39,2кОм
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,07 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT23; подвійний,спільний анод
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT23; подвійний,спільний анод

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
175В
Корпус:
SOT23
Діод: TVS; 38,1В; 35А; D13x10.7W; анод на дроті; Ifsm: 74А; Ir: 5мкА
Діод: TVS; 38,1В; 35А; D13x10.7W; анод на дроті; Ifsm: 74А; Ir: 5мкА

45,62 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
діод генератора
Допуск:
±10%
Зворотна напруга макс.:
38,1В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В

14,13 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX078 (Ø4x5mm)
Монтаж:
THT
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм

16263,96 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.:
3,2кВ
Монтаж:
Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування:
0,89В
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOD323; одиночний діод
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOD323; одиночний діод

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SOD323
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; 2F; 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; 2F; 5мкА; Ubr: 145В

41,81 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
2F
Монтаж:
SMD
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 145В

7,60 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX078 (Ø4x5mm)
Монтаж:
THT