Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; QuadroMELF; Ubr: 8,65В

Немає в наявності
Код товару: MQ1N8150US
1448,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Код товару: MQ1N8150US
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Зворотна напруга макс.: 300В
Кількість каналів: 1
Корпус: QuadroMELF
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 8,65В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,15кВт
Робоча температура: -55...175°C
Тип діода: TVS+FRD
Діод: випрямний; 100В; 35А; 130А; Ø12,77x6,6мм; катод на дроті
Діод: випрямний; 100В; 35А; 130А; Ø12,77x6,6мм; катод на дроті

79,83 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
діод генератора
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Монтаж:
Press-Fit
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 200В
Діод: TVS+FRD; 600В; 200Вт; AX078 (Ø4x5mm); 5мкА; Ubr: 200В

41,81 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX078 (Ø4x5mm)
Монтаж:
THT
Діод: TVS+FRD; 600В; 300Вт; AX10 (Ø4.4x7mm); 5мкА; Ubr: 200В
Діод: TVS+FRD; 600В; 300Вт; AX10 (Ø4.4x7mm); 5мкА; Ubr: 200В

14,13 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX10 (Ø4.4x7mm)
Монтаж:
THT
Діод: випрямний таблетковий; 4,4кВ; 1,6кА; 2,5кА; DO200AC
Діод: випрямний таблетковий; 4,4кВ; 1,6кА; 2,5кА; DO200AC

16208,21 грн

Зворотна напруга макс.:
4,4кВ
Корпус:
DO200AC
Монтаж:
Press-Pack
Пряма напруга макс.:
1,3В
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT323; Ufmax: 1,1В
Діод: перемикальний; 175В; 100мА; SOT323; Ufmax: 1,1В

9,06 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN
Зворотна напруга макс.:
175В
Корпус:
SOT323
Діод: випрямний; AR; одиночний діод; 25А; 1,2В
Діод: випрямний; AR; одиночний діод; 25А; 1,2В

24,71 грн

Корпус:
AR
Монтаж:
Press-Fit
Пряма напруга макс.:
1,2В
Структура напівпровідника:
одиночний діод
Діод: варикап; 16В; 20мА; SC79; одиночний діод; ролик,cтрічка
Діод: варикап; 16В; 20мА; SC79; одиночний діод; ролик,cтрічка

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
RF
Ємність:
5,5...19,6пФ
Зворотна напруга макс.:
16В