Діод: TVS+FRD; 600В; 300Вт; AX10 (Ø4.4x7mm); 5мкА; Ubr: 140В

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ST03D-140-7000
14,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: ST03D-140-7000
Виробник: SHINDENGEN
Властивості напівпровідникових елементів: супресорний діод
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: AX10 (Ø4.4x7mm)
Монтаж: THT
Напруга пробою: 140В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,3кВт
Струм витоку: 5мкА
Тип діода: TVS+FRD
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; кутовий; розмір D16B; для проводу
Корпус для з’єднувачів: HDC; кутовий; розмір D16B; для проводу

573,37 грн

Клас герметичності:
IP65
Клас горючості:
UL94V-0
Колір:
сірий
Корпус:
розмір D16B
Недоступний
Резистор: thick film; 15МОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; HV73; 3кВ
Резистор: thick film; 15МОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; HV73; 3кВ

11,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
4кВ
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 4,75кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 4,75кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; SO14; 1,8÷5,5ВDC; Зовн.перерив: 12
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; SO14; 1,8÷5,5ВDC; Зовн.перерив: 12

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
внутрішній датчик температури; зміцнення входів ADC; режим picoPower
Інтерфейс:
debugWIRE; I2C; SPI
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 3,09МОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3,09МОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
3,09МОм
Недоступний
Вимикач потужності; Полюси: 3+N; гвинтовий; Iном: 63А; 525ВAC; IP20
Вимикач потужності; Полюси: 3+N; гвинтовий; Iном: 63А; 525ВAC; IP20

57116,14 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
25кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60947-2
Додаткові функції:
пристрій захисного відключення; регульований термічно; фіксований магнітно
Кількість полюсів:
3+N
Недоступний
Потенціометр: осьовий; 100кОм; однообертовий; 50мВт; ±20%; THT; 6мм
Потенціометр: осьовий; 100кОм; однообертовий; 50мВт; ±20%; THT; 6мм

99,47 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
7мм
Допуск:
±20%
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOT343; одиночний діод; 80нс
Діод: перемикальний; 30В; 100мА; SOT343; одиночний діод; 80нс

46,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SOT343
Діод: випрямний; 400В; 60А; 190А; Ø12,75x4,2мм; катод на дроті
Діод: випрямний; 400В; 60А; 190А; Ø12,75x4,2мм; катод на дроті

52,58 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
діод генератора
Ємність:
430пФ
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Діод: TVS+FRD; 600В; 300Вт; AX10 (Ø4.4x7mm); 5мкА; Ubr: 170В
Діод: TVS+FRD; 600В; 300Вт; AX10 (Ø4.4x7mm); 5мкА; Ubr: 170В

14,13 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
супресорний діод
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
AX10 (Ø4.4x7mm)
Монтаж:
THT
Діод: перемикальний; 35В; 100мА; SOT23; подвійна лінійна
Діод: перемикальний; 35В; 100мА; SOT23; подвійна лінійна

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
35В
Корпус:
SOT23
Діод: перемикальний; 50В; 0,1А; SOD923; одиночний діод; Ufmax: 1В
Діод: перемикальний; 50В; 0,1А; SOD923; одиночний діод; Ufmax: 1В

11,40 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Ємність:
0,8пФ
Зворотна напруга макс.:
50В
Діод: перемикальний; 50В; 100мА; SOD323; одиночний діод
Діод: перемикальний; 50В; 100мА; SOD323; одиночний діод

6,97 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
PIN; RF
Зворотна напруга макс.:
50В
Корпус:
SOD323
Діод: варикап; 6В; 20мА; SOD323; одиночний діод; ролик,cтрічка
Діод: варикап; 6В; 20мА; SOD323; одиночний діод; ролик,cтрічка

17,74 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
RF
Ємність:
1,85...5,8пФ
Зворотна напруга макс.:
6В