233,15 грн
| Вид архітектури: Cortex M0+ |
| Інтерфейс: I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USART; USB; USB OTG |
| Кількість входів/виходів: 23 |
| Корпус: QFN32 |
1,64 грн
| Вид конденсатора: MLCC |
| Діелектрик: C0G (NP0) |
| Допуск: ±2% |
| Ємність: 22пФ |
261,02 грн
| Type of test probe: ICT/FCT |
| Вигин пружини макс.: 5,3мм |
| Властивості вимірювальних аксесуарів: немагнітні |
| Діаметр наконечника: 1,8мм |
3,24 грн
| Вид конденсатора: MLCC |
| Діаметр роліка макс.: 178мм |
| Діелектрик: X7T |
| Допуск: ±10% |
3,93 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±1% |
| Імпульсна макс. напруга: 500В |
| Корпус - дюйм: 2010 |
0,00 грн
| Вид конденсатора: low ESR |
| Висота: 16мм |
| Діаметр: 8мм |
| Допуск: ±20% |
9,95 грн
| Вид конденсатора: MLCC |
| Діаметр роліка макс.: 180мм |
| Діелектрик: X6S |
| Допуск: ±5% |
7,46 грн
| Вид упаковки: cтрічка; ролик |
| Ємність: 2пФ |
| Зворотна напруга макс.: 75В |
| Корпус: SOT23 |
8,34 грн
| Вид упаковки: cтрічка; ролик |
| Властивості напівпровідникових елементів: glass passivated |
| Ємність: 10пФ |
| Зворотна напруга макс.: 0,4кВ |
2,48 грн
| Зворотна напруга макс.: 0,1кВ |
| Корпус: SOT23 |
| Монтаж: SMD |
| Пряма напруга макс.: 1,25В |
14,83 грн
| Зворотна напруга макс.: 0,4кВ |
| Монтаж: SMD |
| Пряма напруга макс.: 1,2В |
| Структура напівпровідника: одиночний діод |
3,00 грн
| Зворотна напруга макс.: 250В |
| Корпус: SOT23 |
| Монтаж: SMD |
| Пряма напруга макс.: 1,25В |
8,93 грн
| Зворотна напруга макс.: 0,4кВ |
| Монтаж: SMD |
| Пряма напруга макс.: 1,1В |
| Струм витоку: 10мкА |
41,37 грн
| Зворотна напруга макс.: 0,6кВ |
| Монтаж: SMD |
| Пряма напруга макс.: 1,55В |
| Структура напівпровідника: одиночний діод |