Діод: випрямний; THT; 1,2кВ; 109А; Ifsm: 540А; TO247-2; туба; 357Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DSEI120-12A
924,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DSEI120-12A
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: швидке перемикання
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: TO247-2
Монтаж: THT
Потужність розсіювання: 357Вт
Пряма напруга макс.: 1,55В
Структура напівпровідника: одиночний діод
Струм в імпульсі макс.: 540А
Струм провідності: 109А
Технологія: FRED
Тип діода: випрямний
Час готовності: 40нс
Недоступний
Роз’єм: M23; вилка; PIN: 12; промислова; 74В; прямий; IP67; паяння
Роз’єм: M23; вилка; PIN: 12; промислова; 74В; прямий; IP67; паяння

1742,91 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP67
Резистор: thick film; 820Ом; 0603; 100мВт; ±1%; RC; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 820Ом; 0603; 100мВт; ±1%; RC; 1,6x0,8x0,45мм

0,05 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 10МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; NS; 150В
Резистор: thick film; 10МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; NS; 150В

0,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 6,8мкГн; 770мА; R: 350мОм; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 6,8мкГн; 770мА; R: 350мОм; ±10%

11,40 грн

Високосортність:
8
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Індуктивність:
6,8мкГн
Реактор: дротяний; THT; 82мкГн; 2,3А; R: 89мОм; ±10%; Ø12,5x10,8мм
Реактор: дротяний; THT; 82мкГн; 2,3А; R: 89мОм; ±10%; Ø12,5x10,8мм

48,78 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
10,8мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 33; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 33; THT; 1.5A; 60V

295,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,1мм
Довжина відводів:
4,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Діод: випрямний; THT; 600В; 12А; Ifsm: 100А; TO220AC; туба; 25нс
Діод: випрямний; THT; 600В; 12А; Ifsm: 100А; TO220AC; туба; 25нс

85,53 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AC
Діод: випрямний; THT; 200В; 30Аx2; Ifsm: 330А; TO247-3; туба; 22нс
Діод: випрямний; THT; 200В; 30Аx2; Ifsm: 330А; TO247-3; туба; 22нс

264,19 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO247-3
Діод: випрямний; THT; 1,5кВ; 3А; Ifsm: 100А; DO201; Ammo Pack; 1,5мкс
Діод: випрямний; THT; 1,5кВ; 3А; Ifsm: 100А; DO201; Ammo Pack; 1,5мкс

14,13 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
1,5кВ
Корпус:
DO201
Монтаж:
THT
Діод: випрямний; THT; 200В; 1А; Ifsm: 27А; DO204AC,DO41; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 200В; 1А; Ifsm: 27А; DO204AC,DO41; Ammo Pack

3,80 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO41; DO204AC
Монтаж:
THT
Діод: випрямний; THT; 600В; 1А; Ifsm: 30А; DO41; Ammo Pack; Ir: 5мкА
Діод: випрямний; THT; 600В; 1А; Ifsm: 30А; DO41; Ammo Pack; Ir: 5мкА

12,04 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DO41
Діод: випрямний; THT; 200В; 18А; Ifsm: 150А; TO220AB; туба; 25нс
Діод: випрямний; THT; 200В; 18А; Ifsm: 150А; TO220AB; туба; 25нс

95,03 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO220AB
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 12А; Ifsm: 80А; TO220ACIns; туба; 48нс
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 12А; Ifsm: 80А; TO220ACIns; туба; 48нс

76,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
TO220ACIns