Діод: випрямний; THT; 600В; 8А; Ifsm: 125А; ITO220AC; Ufmax: 1,5В

Немає в наявності
Код товару: FESF8JTHE3_A/P
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 1000
Код товару: FESF8JTHE3_A/P
Виробник: VISHAY
Властивості напівпровідникових елементів: glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: ITO220AC
Монтаж: THT
Пряма напруга макс.: 1,5В
Структура напівпровідника: одиночний діод
Струм в імпульсі макс.: 125А
Струм провідності: 8А
Тип діода: випрямний
Час готовності: 50нс
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; 6x6x3мм; 1,9А; ферит; H: 3мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; 6x6x3мм; 1,9А; ферит; H: 3мм

2,57 грн

Висота:
3мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 2А; 1A/125ВAC; PCB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 2А; 1A/125ВAC; PCB

81,73 грн

Зовнішні розміри:
20,2x10x11,5мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
48В DC
Макс. струм контактів:
2А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,8кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 120МГц; LQFP100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 120МГц; LQFP100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; PSSI; SAI; SDMMC; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
77
Недоступний
Резистор: thick film; 4,42Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,42Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
4,42Ом
Діод: випрямний; THT; 400В; 8А; Ifsm: 112А; TO220AC; туба; Ir: 5мкА
Діод: випрямний; THT; 400В; 8А; Ifsm: 112А; TO220AC; туба; Ir: 5мкА

70,96 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
TO220AC
Діод: випрямний; THT; 600В; 30А; Ifsm: 200А; TO220AC; туба; 180Вт
Діод: випрямний; THT; 600В; 30А; Ifsm: 200А; TO220AC; туба; 180Вт

658,90 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AC
Діод: випрямний; THT; 100В; 75мА; Ifsm: 500мА; DO35; Ammo Pack; 4нс
Діод: випрямний; THT; 100В; 75мА; Ifsm: 500мА; DO35; Ammo Pack; 4нс

5,70 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Ємність:
2,5пФ
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Діод: випрямний; THT; 2кВ; 25А; Ifsm: 500А; P600; Ammo Pack; Ir: 10мкА
Діод: випрямний; THT; 2кВ; 25А; Ifsm: 500А; P600; Ammo Pack; Ir: 10мкА

115,94 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
2кВ
Корпус:
P600
Монтаж:
THT
Діод: випрямний; THT; 200В; 1,5А; Ifsm: 60А; DO15; Ammo Pack; 15нс
Діод: випрямний; THT; 200В; 1,5А; Ifsm: 60А; DO15; Ammo Pack; 15нс

10,96 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO15
Діод: випрямний; THT; 1,2кВ; 60А; Ifsm: 400А; DO247; туба; Ufmax: 1,3В
Діод: випрямний; THT; 1,2кВ; 60А; Ifsm: 400А; DO247; туба; Ufmax: 1,3В

288,90 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
DO247
Діод: випрямний; THT; 8кВ; 5мА; Ifsm: 500мА; Ufmax: 30В; Ir: 2мкА; 80нс
Діод: випрямний; THT; 8кВ; 5мА; Ifsm: 500мА; Ufmax: 30В; Ir: 2мкА; 80нс

25,34 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
8кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
30В