Кристал; 3,579545МГц; 30пФ; ±50ppm; ±5ppm/рік; 12,7x4,8x3,8мм

Немає в наявності
Код товару: W9M03579545F30GD1N
4,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: W9M03579545F30GD1N
Виробник: WTL
Довготривала стабільність: ±5ppm/рік
Ємність: 30пФ
Робоча температура: -40...85°C
Розміри: 12,7x4,8x3,8мм
Стабільність частоти: ±50ppm
Тип генератора: кварцовий
Тип кварцу: кристал
Частота: 3,579545МГц
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; QFP80; KINETIS
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; QFP80; KINETIS

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI; UART x3; USB OTG
Кількість входів/виходів:
52
Корпус:
QFP80
Недоступний
З`єднання: на рейку; PT; PA; L: 45,9мм; затиски: 4; W: 8,2мм; H: 83,5мм
З`єднання: на рейку; PT; PA; L: 45,9мм; затиски: 4; W: 8,2мм; H: 83,5мм

132,41 грн

Висота:
83,5мм
Довжина:
45,9мм
Кількість клем:
4
Клас горючості:
UL94V-0
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

32,69 грн

Виводи:
радіальні
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley

15297,79 грн

Engineering PN:
2090-CPBM7E7-16AF10
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Модель:
заправлений
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; пригвинчуваний

2672,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
245нКл
Корпус:
SOT227B
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC

816,65 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
30нА
8пФ; SMD; ESR: 150Ом; 26МГц; Стаб.част: ±30ppm; -40÷85°C
8пФ; SMD; ESR: 150Ом; 26МГц; Стаб.част: ±30ppm; -40÷85°C

27,94 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
8пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
150Ом
Генератор: CMOS
Генератор: CMOS

53,85 грн

Тип генератора:
CMOS
IC: периферійна схема
IC: периферійна схема

48,78 грн

4МГц; SMD; ±25ppm; -40÷85°C
4МГц; SMD; ±25ppm; -40÷85°C

37,38 грн

Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Стабільність частоти:
±25ppm
Тип генератора:
CMOS
Кристал; SMD; 18пФ; ±50ppm; 0÷70°C
Кристал; SMD; 18пФ; ±50ppm; 0÷70°C

25,66 грн

Допуск резонаторів:
±50ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Керамічний
Керамічний

12,80 грн

Тип кварцу:
керамічний
Тип резонатора:
керамічний
12пФ; SMD; ESR: 100Ом; 5x3,2x0,85мм; 10МГц; Стаб.част: ±50ppm
12пФ; SMD; ESR: 100Ом; 5x3,2x0,85мм; 10МГц; Стаб.част: ±50ppm

33,13 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
100Ом