IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90

Немає в наявності
Код товару: IS42RM32160E-75BLI
702,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: IS42RM32160E-75BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA90
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,3...3В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx32bitx4
Тактова частота: 133МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7,5нс
Недоступний
Зонд: температури типу K; Темп: -100÷700°C; Дл: 1м
Зонд: температури типу K; Темп: -100÷700°C; Дл: 1м

1872,78 грн

Батарея/акумулятор:
немає
Діапазон вимірювання температури:
-100...700°C
Довжина зонду:
316мм
Довжина проводу:
1м
Провід: для сервоприводів; MOTIONLINE® ADVANCED; гибридний; Cu
Провід: для сервоприводів; MOTIONLINE® ADVANCED; гибридний; Cu

386,47 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 111В; 9,3А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 111В; 9,3А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

124,18 грн

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; високої потужності; SMD; 2817; 4Вт
Резистор: thick film; 1,8кОм; високої потужності; SMD; 2817; 4Вт

10,71 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Трансформатор: литий; 5÷10В; DPC; 41,1x57,2x34,8мм
Трансформатор: литий; 5÷10В; DPC; 41,1x57,2x34,8мм

969,97 грн

Вторинна напруга 1:
5...10В
Зовнішні розміри:
41,1x57,2x34,8мм
Серія виробника:
DPC
Тип трансформатора:
литий
Резистор: thick film; 220Ом; 1Вт; CHP; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 220Ом; 1Вт; CHP; 100ppm/°C

14,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
220Ом
Потужність:
1Вт
Серія виробника:
CHP
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 1,5м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -30÷85°C
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 1,5м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -30÷85°C

1882,92 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD