IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90

Немає в наявності
Код товару: IS42VM32160E-75BLI
592,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: IS42VM32160E-75BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA90
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,95В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx32bitx4
Тактова частота: 133МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7,5нс
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 246В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 246В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMCJ

17,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
220В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x5,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x5,7мм

24,01 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x5,7мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1590,22 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,125А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 150В; 300мА; 1Вт
Транзистор: NPN; біполярний; 150В; 300мА; 1Вт

2324,51 грн

Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
150В
Поляризація:
біполярний
Потужність розсіювання:
1Вт
Недоступний
Test probe: switching; 5A; Ø: 5mm; SKS-415; plastic; 0.5N; push-in
Test probe: switching; 5A; Ø: 5mm; SKS-415; plastic; 0.5N; push-in

662,06 грн

Type of test probe:
switching
Вигин пружини макс.:
5,2мм
Висота одвороту:
2мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 83,3В; 4,9А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 83,3В; 4,9А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1

7,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
75В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
IC: цифровий; NAND; Ch: 3; IN: 3; THT; DIP14; 74LS
IC: цифровий; NAND; Ch: 3; IN: 3; THT; DIP14; 74LS

57,02 грн

Вид затвору:
NAND
Кількість каналів:
triple; 3
Корпус:
DIP14
Монтаж:
THT
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD