1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Аналогові і змішані схеми
  5. Драйвери - інтегральні схеми

IC: driver; BiCMOS; DIP18; 500мА; 50В; Ch: 8; Uживл: 4,5÷15В; 3,3МГц

IC: driver; BiCMOS; DIP18; 500мА; 50В; Ch: 8; Uживл: 4,5÷15В; 3,3МГц
Немає в наявності
Код товару: MIC5841YN
229,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MIC5841YN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид об'єднаної схеми: darlington; защілка; послідовний вхід; транзисторна матриця
Вид упаковки: туба
Використання: для індукційного навантаження
Вихідна напруга: 50В
Вихідний струм: 0,5А
Кількість каналів: 8
Корпус: DIP18
Монтаж: THT
Напруга живлення: 4,5...15В
Робоча температура: -55...85°C
Робоча частота: 3,3МГц
Стандартне пакування виробника: 21шт.
Струм живлення DC: 16мА
Технологія: BiCMOS
Тип інтегральної мікросхеми: driver
Недоступний
Резистор: thin film; 271Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 271Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; PF; 150В
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; PF; 150В

0,29 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В

2,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; P; 17,8x16,9x6,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; P; 17,8x16,9x6,7мм

66,52 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
17,8x16,9x6,7мм
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10

131,78 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,8...4,5В; 1,8В DC
Вихідний струм:
0,3...0,5А
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 220Ом; SMD; 200мА; 0402; R: 800мОм; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 220Ом; SMD; 200мА; 0402; R: 800мОм; BLM

0,74 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
220Ом
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 1210

91,23 грн

Alias:
C1210C476K9RAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; DIP16; 0,5А; 50В
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; DIP16; 0,5А; 50В

41,81 грн

Вид об'єднаної схеми:
darlington; транзисторна матриця
Вид упаковки:
туба
Використання:
для індукційного навантаження
Вихідна напруга:
50В
IC: driver; периферійний контролер; SO8; 400мА; 30В; Ch: 2
IC: driver; периферійний контролер; SO8; 400мА; 30В; Ch: 2

30,41 грн

Вид об'єднаної схеми:
периферійний контролер
Вихідна напруга:
30В
Вихідний струм:
0,4А
Кількість каналів:
2
IC: контролер резистивного екрану; 3,3÷5,5ВDC; SSOP20; туба
IC: контролер резистивного екрану; 3,3÷5,5ВDC; SSOP20; туба

127,34 грн

Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
4-wire; 5-wire; 8-wire; I2C; SPI
Корпус:
SSOP20
Монтаж:
SMD
IC: driver; CMOS; PLCC28; 500мА; 50В; Ch: 8; Uживл: 4,5÷15В; 4,4МГц
IC: driver; CMOS; PLCC28; 500мА; 50В; Ch: 8; Uживл: 4,5÷15В; 4,4МГц

229,35 грн

Вид об'єднаної схеми:
darlington; защілка; паралельний вхід; транзисторна матриця
Вид упаковки:
туба
Використання:
для індукційного навантаження
Вихідна напруга:
50В
IC: driver/sensor; ємкісний датчик; 2,05÷3,6ВDC; TSSOP14; туба
IC: driver/sensor; ємкісний датчик; 2,05÷3,6ВDC; TSSOP14; туба

55,75 грн

Вид виходу:
логічний
Вид об'єднаної схеми:
ємкісний датчик
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
proximity detection; signal guard
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; SO16; 0,5А; 50В; Ch: 7
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; SO16; 0,5А; 50В; Ch: 7

36,75 грн

Вид об'єднаної схеми:
darlington; транзисторна матриця
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
для індукційного навантаження
Вихідна напруга:
50В
IC: driver; push-pull; SO16; -0,43÷0,29А; 580В; Ch: 2; 800кГц
IC: driver; push-pull; SO16; -0,43÷0,29А; 580В; Ch: 2; 800кГц

198,94 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів IGBT; контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
580В
Вихідний струм:
-0,43...0,29А