IC: driver; контролер затворів; QFN14; 4А; Ch: 2; 2,5÷5,5/4,2÷30ВDC

Немає в наявності
Код товару: SI8275ABD-IM
309,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI8275ABD-IM
Виробник: SILICON LABS
Вид об'єднаної схеми: контролер затворів
Вихідний струм: 4А
Властивості інтегральних мікросхем: гальванічне відокремлення
Кількість каналів: 2
Корпус: QFN14
Монтаж: SMD
Напруга ізоляції: 2,5кВ
Робоча напруга: 2,5...5,5/4,2...30В DC
Робоча температура: -40...125°C
Тип інтегральної мікросхеми: driver
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 6мА; TO220AB
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 6мА; TO220AB

103,27 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 3,4Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 3,4Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

11,02 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 78,7Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 78,7Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А

495,44 грн

Виводи:
конектори
Зовнішні розміри:
28x21,5x36мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
10А
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; DIP16; 0,5А; 50В
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; DIP16; 0,5А; 50В

41,81 грн

Вид об'єднаної схеми:
darlington; транзисторна матриця
Вид упаковки:
туба
Використання:
для індукційного навантаження
Вихідна напруга:
50В
IC: driver; периферійний контролер; SO8; 400мА; 30В; Ch: 2
IC: driver; периферійний контролер; SO8; 400мА; 30В; Ch: 2

30,41 грн

Вид об'єднаної схеми:
периферійний контролер
Вихідна напруга:
30В
Вихідний струм:
0,4А
Кількість каналів:
2
IC: контролер резистивного екрану; 3,3÷5,5ВDC; SSOP20; туба
IC: контролер резистивного екрану; 3,3÷5,5ВDC; SSOP20; туба

127,34 грн

Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
4-wire; 5-wire; 8-wire; I2C; SPI
Корпус:
SSOP20
Монтаж:
SMD
IC: driver/sensor; ємкісний датчик; 2,05÷3,6ВDC; QFN16; туба
IC: driver/sensor; ємкісний датчик; 2,05÷3,6ВDC; QFN16; туба

62,72 грн

Вид виходу:
логічний
Вид об'єднаної схеми:
ємкісний датчик
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
proximity detection; signal guard
IC: driver; контролер баласту; SO16; Ch: 1; 60÷120кГц; 10÷15,6В
IC: driver; контролер баласту; SO16; Ch: 1; 60÷120кГц; 10÷15,6В

108,34 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер баласту
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO16
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; DIP16; 0,5А; 50В
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; DIP16; 0,5А; 50В

54,49 грн

Вид об'єднаної схеми:
darlington; транзисторна матриця
Використання:
для індукційного навантаження
Вихідна напруга:
50В
Вихідний струм:
0,5А
IC: driver; high-/low-side,контролер затворів; SO16; 4А; Ch: 2
IC: driver; high-/low-side,контролер затворів; SO16; 4А; Ch: 2

334,52 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вихідний струм:
4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; мертвий час
Кількість каналів:
2