IC: driver; low-side; SOIC16; 3А; Ch: 2; MOSFET; 4,5÷18В; Iвих max: 3А

Немає в наявності
Код товару: TC4425VOE713
58,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: TC4425VOE713
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид виходу: що інвертує
Вид об'єднаної схеми: low-side
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Вихідний струм: 3А
Властивості інтегральних мікросхем: MOSFET
Кількість каналів: 2
Корпус: SOIC16
Монтаж: SMD
Потужність розсіювання: 0,47Вт
Робоча напруга: 4,5...18В
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм вихідний макс.: 3А
Струм живлення DC: 2,5мА
Тип інтегральної мікросхеми: driver
Час наростання імпульсу: 23нс
Час спадання імпульсу: 25нс
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; туба

84,26 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
TSSOP8
Недоступний
Резистор: керамічний; 4,7Ом; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C
Резистор: керамічний; 4,7Ом; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C

27,18 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
7мм
Довжина:
19мм
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 250В; ±20%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 250В; ±20%; THT; 5мм

4,43 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
4,7нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 510В; 570мА; односпрямована; ±5%; DO41; P4KE
Діод: TVS; 400Вт; 510В; 570мА; односпрямована; ±5%; DO41; P4KE

18,37 грн

Вид упаковки:
розсипний
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
434В
Корпус:
DO41
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A

17,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,4мм
Недоступний
Connector: IDC; male; data; PIN: 50; SEK Standard; straight; THT
Connector: IDC; male; data; PIN: 50; SEK Standard; straight; THT

266,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,9мм
Електричний монтаж:
THT
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1

131,15 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів SiC MOSFET
Вихідний струм:
-4...4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Кількість каналів:
1
IC: driver; 3-фазний міст IGBT,3-фазовий міст MOSFET; SO28-W
IC: driver; 3-фазний міст IGBT,3-фазовий міст MOSFET; SO28-W

425,75 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
-420...200мА
Кількість каналів:
6
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

100,10 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-250...120мА
Кількість каналів:
2
IC: driver; місток H; high-side,low-side; SOIC8; 500мВт; Ch: 1; 5В
IC: driver; місток H; high-side,low-side; SOIC8; 500мВт; Ch: 1; 5В

201,47 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
high-side; low-side
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
Кількість каналів:
1
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC8; -600÷290мА; Ch: 2
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC8; -600÷290мА; Ch: 2

32,31 грн

Вид виходу:
комплементарне
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-600...290мА
IC: driver; місток H; MOSFET; 4А; 20В
IC: driver; місток H; MOSFET; 4А; 20В

36,30 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
клас напруги:
20В
Монтаж:
SMD
Струм вихідний макс.:
4А
IC: driver
IC: driver

133,05 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
driver