IC: driver; low-side; WDFN8; 3А; Ch: 1; MOSFET; 4,5÷18В; Iвих max: 3А

Немає в наявності
Код товару: MCP14A0301T-E/KBA
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: MCP14A0301T-E/KBA
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид виходу: що інвертує
Вид об'єднаної схеми: low-side
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Вихідний струм: 3А
Властивості інтегральних мікросхем: MOSFET
Кількість каналів: 1
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD
Потужність розсіювання: 1,63Вт
Робоча напруга: 4,5...18В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Струм вихідний макс.: 3А
Струм живлення DC: 360мкА
Тип інтегральної мікросхеми: driver
Час наростання імпульсу: 20нс
Час спадання імпульсу: 18нс
Недоступний
Резистор: thick film; 3,83кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 3,83кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,83кОм
Connector: wire-board; male; data; Inom: 50A; 600V; PIN: 2; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 50A; 600V; PIN: 2; shrouded

243,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley

11990,64 грн

Engineering PN:
2090-CPBM7DF-16AF10
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Модель:
заправлений
Недоступний
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

9,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; туба

84,26 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
TSSOP8
Недоступний
Резистор: керамічний; 4,7Ом; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C
Резистор: керамічний; 4,7Ом; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C

27,18 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
7мм
Довжина:
19мм
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 250В; ±20%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 250В; ±20%; THT; 5мм

4,43 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
4,7нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1

131,15 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів SiC MOSFET
Вихідний струм:
-4...4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Кількість каналів:
1
IC: driver; 3-фазний міст IGBT,3-фазовий міст MOSFET; SO28-W
IC: driver; 3-фазний міст IGBT,3-фазовий міст MOSFET; SO28-W

425,75 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
-420...200мА
Кількість каналів:
6
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

100,10 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-250...120мА
Кількість каналів:
2
IC: driver; місток H; high-side,low-side; SOIC8; 500мВт; Ch: 1; 5В
IC: driver; місток H; high-side,low-side; SOIC8; 500мВт; Ch: 1; 5В

201,47 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
high-side; low-side
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
Кількість каналів:
1
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC8; -600÷290мА; Ch: 2
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC8; -600÷290мА; Ch: 2

32,31 грн

Вид виходу:
комплементарне
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-600...290мА
IC: driver; місток H; MOSFET; 4А; 20В
IC: driver; місток H; MOSFET; 4А; 20В

36,30 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
клас напруги:
20В
Монтаж:
SMD
Струм вихідний макс.:
4А
IC: driver
IC: driver

133,05 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
driver