IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; контролер затворів

Немає в наявності
Код товару: DGD2304S8-13
36,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DGD2304S8-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид об'єднаної схеми: контролер затворів
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Вихідний струм: -600...290мА
Кількість каналів: 2
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 10...20В
Робоча температура: -40...125°C
Тип інтегральної мікросхеми: driver
Топологія: півмісток IGBT; півмісток MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 374Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 374Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

48,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,9мм
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

2,13 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,4Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,4Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 34кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 34кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Обмежувач перенапруження; Тип 1+2; 20кА; -40÷80°C; IP20; 1500ВDC
Обмежувач перенапруження; Тип 1+2; 20кА; -40÷80°C; IP20; 1500ВDC

19301,85 грн

Вид обмежувача перенапруження:
Тип 1+2
Використання:
фотоелектрика
Клас герметичності:
IP20
Номінальна напруга:
1,5кВ DC
IC: driver; low-side,контролер затворів; SO8; 4,5А; Ch: 2
IC: driver; low-side,контролер затворів; SO8; 4,5А; Ch: 2

97,57 грн

Вид об'єднаної схеми:
low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
4,5А
Кількість каналів:
2
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1

131,15 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів SiC MOSFET
Вихідний струм:
-4...4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Кількість каналів:
1
IC: driver; 3-фазний міст IGBT,3-фазовий міст MOSFET; SO28-W
IC: driver; 3-фазний міст IGBT,3-фазовий міст MOSFET; SO28-W

425,75 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
-420...200мА
Кількість каналів:
6
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

100,10 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-250...120мА
Кількість каналів:
2
IC: driver; місток H; high-side,low-side; SOIC8; 500мВт; Ch: 1; 5В
IC: driver; місток H; high-side,low-side; SOIC8; 500мВт; Ch: 1; 5В

201,47 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
high-side; low-side
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
Кількість каналів:
1
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC8; -600÷290мА; Ch: 2
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC8; -600÷290мА; Ch: 2

32,31 грн

Вид виходу:
комплементарне
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-600...290мА
IC: driver; 1200В
IC: driver; 1200В

72,86 грн

клас напруги:
1,2кВ
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
driver
Час ввімкнення:
0,3мкс