IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; PG-DSO-14; Ch: 2

Немає в наявності
Код товару: 2ED21814S06JXUMA1
67,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: 2ED21814S06JXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид об'єднаної схеми: high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Вихідний струм: -2,5...2,5А
Властивості інтегральних мікросхем: integrated bootstrap functionality
Захист: мінімальна напруга UVP
Кількість каналів: 2
клас напруги: 650В
Корпус: PG-DSO-14
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 10...20В
Тип інтегральної мікросхеми: driver
Топологія: півмісток IGBT; півмісток MOSFET
PIN: 5; чорний; луджений; 2,54мм; 22AWG
PIN: 5; чорний; луджений; 2,54мм; 22AWG

300,30 грн

Діаметр жили:
22AWG
Кількість пін:
5
Колір ізоляції:
чорний
Покриття контакту:
луджений
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 16,7÷18,5В; 16,4А; односпрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 16,7÷18,5В; 16,4А; односпрямована; DO214AC,SMA

4,82 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
15В
Генератор; 50МГц; SMD; 7x5x1,3мм; 12пФ; ±50ppm; 1,8ВDC; -40÷85°C
Генератор; 50МГц; SMD; 7x5x1,3мм; 12пФ; ±50ppm; 1,8ВDC; -40÷85°C

91,23 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
1,8В DC
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
IC: driver; місток H; півміст; DFN12; Ch: 2; MOSFET
IC: driver; місток H; півміст; DFN12; Ch: 2; MOSFET

241,38 грн

Вид об'єднаної схеми:
півміст
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
Кількість каналів:
2
Корпус:
DFN12
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC28; -350÷200мА; Ch: 6
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC28; -350÷200мА; Ch: 6

114,04 грн

Вид виходу:
комплементарне
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-0,35...0,2А
IC: driver; місток H; high-side,low-side,контролер затворів
IC: driver; місток H; high-side,low-side,контролер затворів

140,02 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-side; low-side; контролер затворів
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC16
IC: driver; місток H; PG-DSO-16; 700мВт; MOSFET; 2А; Uживл: 4,5÷20В
IC: driver; місток H; PG-DSO-16; 700мВт; MOSFET; 2А; Uживл: 4,5÷20В

235,68 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
клас напруги:
1,2кВ
Корпус:
PG-DSO-16
IC: driver; контролер затворів MOSFET; DIP8; 1,5А; Ch: 2; 4,5÷18В
IC: driver; контролер затворів MOSFET; DIP8; 1,5А; Ch: 2; 4,5÷18В

92,50 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
1,5А
IC: driver; контролер затворів MOSFET; DIP14; 1,2А; Ch: 4; 4,5÷18В
IC: driver; контролер затворів MOSFET; DIP14; 1,2А; Ch: 4; 4,5÷18В

214,14 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
1,2А
IC: driver; контролер затворів MOSFET; DIP8; 4,5А; Ch: 2; 4,5÷18В
IC: driver; контролер затворів MOSFET; DIP8; 4,5А; Ch: 2; 4,5÷18В

175,49 грн

Вид виходу:
що інвертує
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
4,5А