IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO8; -500÷250мА

Немає в наявності
Код товару: NCP5109BDR2G
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NCP5109BDR2G
Виробник: ONSEMI
Вид об'єднаної схеми: high-side; low-side; контролер затворів
Вихідний струм: -500...250мА
клас напруги: 200В
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 10...20В DC
Робоча температура: -40...125°C
Тип інтегральної мікросхеми: driver
Топологія: півмісток IGBT; півмісток MOSFET
Час наростання імпульсу: 160нс
Час спадання імпульсу: 75нс
Недоступний
Резистор: thin film; 3,9кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 3,9кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 12бит; 180кsps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷105°C
IC: перетворювач D/A; 12бит; 180кsps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷105°C

125,44 грн

Max DNL:
±0,25LSB
Max INL:
±8LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
SPI
Недоступний
Резистор: thick film; 158Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 158Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,74 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,15 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
IC: driver; low-side,контролер затворів; SO8; 4,5А; Ch: 2
IC: driver; low-side,контролер затворів; SO8; 4,5А; Ch: 2

97,57 грн

Вид об'єднаної схеми:
low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
4,5А
Кількість каналів:
2
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1

131,15 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів SiC MOSFET
Вихідний струм:
-4...4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Кількість каналів:
1
IC: driver; 3-фазний міст IGBT,3-фазовий міст MOSFET; SO28-W
IC: driver; 3-фазний міст IGBT,3-фазовий міст MOSFET; SO28-W

425,75 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
-420...200мА
Кількість каналів:
6
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

100,10 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-250...120мА
Кількість каналів:
2
IC: driver; місток H; high-side,low-side; SOIC8; 500мВт; Ch: 1; 5В
IC: driver; місток H; high-side,low-side; SOIC8; 500мВт; Ch: 1; 5В

201,47 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
high-side; low-side
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
Кількість каналів:
1
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC8; -600÷290мА; Ch: 2
IC: driver; контролер затворів MOSFET; SOIC8; -600÷290мА; Ch: 2

32,31 грн

Вид виходу:
комплементарне
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-600...290мА
IC: driver; 1200В
IC: driver; 1200В

72,86 грн

клас напруги:
1,2кВ
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
driver
Час ввімкнення:
0,3мкс