IC: мікросхема RTC; SPI; SRAM; 64БSRAM; 1,8÷3,6ВDC; SO14; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: MCP795W12-I/SL
95,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MCP795W12-I/SL
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Вихідна напруга: -0,6...6,5В
Властивості інтегральних мікросхем: EEPROM; EUI-64
Інтерфейс: SPI
Корпус: SO14
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,8...3,6В DC
Пам'ять: 64Б SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 57шт.
Струм живлення DC: 5мА
Струм підтримки часу: 700нА
Тип інтегральної мікросхеми: мікросхема RTC
Формат годинника: HH:MM:SS:hh (12/24h)
Формат дати: YY-MM-DD-dd
Частота: 5МГц
Діод: TVS; 600Вт; 12В; 36А; односпрямована; ±5%; SMB; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 600Вт; 12В; 36А; односпрямована; ±5%; SMB; ролик,cтрічка

46,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
10,2В
Корпус:
SMB
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V

516,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 2; 4,5÷40ВDC; SO8; 0,35мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 2; 4,5÷40ВDC; SO8; 0,35мВ

39,28 грн

Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,35мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Tip: desoldering; 0.6x1mm
Tip: desoldering; 0.6x1mm

764,07 грн

Застосування паяльного обладнання:
для відпайки; для чищення контактних майданчиків
Розміри наконечника:
0,6x1мм
Супутні товари:
JBC-DS-A; JBC-DSS-2D
Тип наконечника:
desoldering
Недоступний
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба

84,26 грн

Вид пам’яті:
енергозал.
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
QFN20
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 256кбSRAM; PCDIP28; 70нс
IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 256кбSRAM; PCDIP28; 70нс

2141,41 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Інтерфейс:
parallel
Корпус:
PCDIP28
Монтаж:
THT
IC: мікросхема RTC; 2-wire,I2C; EEPROM; 512БEEPROM; SO8; 2,7÷5,5В
IC: мікросхема RTC; 2-wire,I2C; EEPROM; 512БEEPROM; SO8; 2,7÷5,5В

246,45 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: мікросхема RTC; I2C,serial; NV RAM; SO8; 2÷5,5В; 56Б
IC: мікросхема RTC; I2C,serial; NV RAM; SO8; 2÷5,5В; 56Б

173,59 грн

Вид пам’яті:
NV RAM
Інтерфейс:
I2C; serial
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: мікросхема RTC; I2C,serial; TSSOP8; 1,8÷5,5В
IC: мікросхема RTC; I2C,serial; TSSOP8; 1,8÷5,5В

61,45 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
PoR
Інтерфейс:
I2C; serial
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
IC: мікросхема RTC; I2C; SO8; 1,8÷5,5В
IC: мікросхема RTC; I2C; SO8; 1,8÷5,5В

81,09 грн

Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
1,8...5,5В
IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 64кбSRAM; PCDIP28; 150нс
IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 64кбSRAM; PCDIP28; 150нс

1602,26 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Інтерфейс:
parallel
Корпус:
PCDIP28
Монтаж:
THT
IC: мікросхема RTC; I2C; SRAM; 64БSRAM; 1,8÷5,5ВDC; TSSOP8; туба
IC: мікросхема RTC; I2C; SRAM; 64БSRAM; 1,8÷5,5ВDC; TSSOP8; туба

48,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
-0,6...7,5В
Інтерфейс:
I2C