IC: Oпераційний підсилювач; 200кГц; Ch: 4; 3,3÷16ВDC; QFN16; 2,4мВ

Немає в наявності
Код товару: TSX634IQ4T
126,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSX634IQ4T
Виробник: STMicroelectronics
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: micropower; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 2,4мВ
Вхідний поляризаційний струм: 0,2нА
Вхідний струм зміщення нуля: 0,2нА
Діапазон напруги живлення: 3,3...16В DC
Кількість каналів: 4
Корпус: QFN16
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 0,2МГц
Струм без навантаження: 60мкА
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,12В/мкс
Недоступний
IC: аудіоінтерфейс; рація; DSP,GPIO,I2S,S/PDIF; 2,7÷3,6ВDC
IC: аудіоінтерфейс; рація; DSP,GPIO,I2S,S/PDIF; 2,7÷3,6ВDC

523,27 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
DSP; GPIO; I2S; S/PDIF
Кількість передавачів:
1
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 15÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1А; SMT; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 15÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1А; SMT; OUT: 1

488,42 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
15...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 288Вт; 25,21нс
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 288Вт; 25,21нс

267,97 грн

Монтаж:
THT
Потужність розсіювання:
288Вт
Технологія:
SiC
Тип транзистора:
N-MOSFET
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO + NC; 15мм; 10÷40ВDC; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO + NC; 15мм; 10÷40ВDC; 2м; IP67

3272,00 грн

Дальність:
15мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO + NC
Недоступний
Захист; L: 1мм; лінії: 5; W: 5,15мм; H: 4,3мм; Корпус: жовтий
Захист; L: 1мм; лінії: 5; W: 5,15мм; H: 4,3мм; Корпус: жовтий

16,28 грн

Висота:
4,3мм
Довжина:
1мм
Кількість ліній:
5
Клас горючості:
UL94V-2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0201

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
IC: Oпераційний підсилювач; 2,3МГц; Ch: 1; 3÷16ВDC; SO8; 12мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 2,3МГц; Ch: 1; 3÷16ВDC; SO8; 12мВ

36,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power
Вхідна напруга зміщення нуля:
12мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,15нА
IC: Oпераційний підсилювач; 12МГц; Ch: 2; 2,7÷10ВDC; TSSOP8; 7мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 12МГц; Ch: 2; 2,7÷10ВDC; TSSOP8; 7мВ

32,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
7мВ
Вхідний струм зміщення нуля:
200нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; VSSOP8; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; VSSOP8; 9мВ

25,97 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5мкА
Вхідний струм зміщення нуля:
150нА
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8

28,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 500кГц; Ch: 4; SOP14; 2мВ; IB: 20000пА
IC: Oпераційний підсилювач; 500кГц; Ch: 4; SOP14; 2мВ; IB: 20000пА

31,55 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
20нА
Вхідний струм зміщення нуля:
20нА
Кількість каналів:
4
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; 1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; 1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА

8,17 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ

47,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5мкА