IC: Oпераційний підсилювач; 1,4МГц; Ch: 1; MSOP10; 1мВ; IB: 5000пА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: LMR982FVM-TR
13,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 264
Код товару: LMR982FVM-TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Властивості інтегральних мікросхем: low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 1мВ
Вхідний поляризаційний струм: 5нА
Вхідний струм зміщення нуля: 5нА
Кількість каналів: 1
Корпус: MSOP10
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 1,4МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

786,87 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
1,2А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,9пФ
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5,3кВ; Uce: 70В
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5,3кВ; Uce: 70В

44,98 грн

CTR@If:
40-80%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
Gull wing 4
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Трансформатор: струмовий; ASK 41.4; I AC: 1кА; 5ВА; 85,5x71x58мм
Трансформатор: струмовий; ASK 41.4; I AC: 1кА; 5ВА; 85,5x71x58мм

1078,94 грн

Зовнішні розміри:
85,5x71x58мм
Клас точності:
1
Потужність:
5ВА
Серія виробника:
ASK 41.4
Недоступний
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; ±1,35÷20ВDC,±2,7÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; ±1,35÷20ВDC,±2,7÷40ВDC

140,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,75мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
IC: Oпераційний підсилювач; 50МГц; Ch: 1; ±2,2÷5,5ВDC; SOT23-5
IC: Oпераційний підсилювач; 50МГц; Ch: 1; ±2,2÷5,5ВDC; SOT23-5

107,07 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
IC: Oпераційний підсилювач; 120МГц; Ch: 1; ±2,7÷5,5ВDC; SOT23-6
IC: Oпераційний підсилювач; 120МГц; Ch: 1; ±2,7÷5,5ВDC; SOT23-6

152,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
5,7мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 33МГц; Ch: 2; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 33МГц; Ch: 2; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

331,35 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10нА
IC: Oпераційний підсилювач; 45МГц; Ch: 1; ±4÷18ВDC,±8÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 45МГц; Ch: 1; ±4÷18ВDC,±8÷36ВDC; SO8

383,93 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,4мВ
Вхідний поляризаційний струм:
3нА
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
13мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
IC: Oпераційний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8

120,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low offset
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
6нА