IC: Oпераційний підсилювач; 152кГц; Ch: 4; TSSOP14; 1,5мВ; 2000пА

Немає в наявності
Код товару: LPV324MT/NOPB
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 94
Крок додавання: 94
Код товару: LPV324MT/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 1,5мВ
Вхідний поляризаційний струм: 2нА
Кількість каналів: 4
Корпус: TSSOP14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 152кГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Недоступний
Резистор: thin film; 8,25Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 8,25Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

4,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201; 330мм

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 33,3В; 31А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 33,3В; 31А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

81,73 грн

Зворотна напруга макс.:
30В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1,5нФ; 1кВ; U2J; ±5%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм
Конденсатор: керамічний; 1,5нФ; 1кВ; U2J; ±5%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм

8,49 грн

Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Ємність:
1,5нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: XLR; гніздо; гніздовий; аудіо відео; PIN: 3; прямий; THT
Роз’єм: XLR; гніздо; гніздовий; аудіо відео; PIN: 3; прямий; THT

182,46 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
IC: Oпераційний підсилювач; 1,7ГГц; Ch: 1; ±2,5÷6ВDC,±5÷12ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,7ГГц; Ch: 1; ±2,5÷6ВDC,±5÷12ВDC; SO8

243,92 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Вхідна напруга зміщення нуля:
4мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...6В DC; ± 5...12В DC
IC: вимірювальний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC; SO8; туба
IC: вимірювальний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC; SO8; туба

565,76 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...18В DC
Кількість в наборі/упаковці:
75шт.
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; 8÷44В; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; 8÷44В; SO8

263,56 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму; прецизійний
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMT
IC: Oпераційний підсилювач; 1,9МГц; Ch: 2; ±2,5÷15ВDC,5÷30ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,9МГц; Ch: 2; ±2,5÷15ВDC,5÷30ВDC; SO8

606,94 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail output
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...15В DC; 5...30В DC
Кількість каналів:
2
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 4,5мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 4,5мВ; туба

25,98 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 2÷12МГц; Ch: 8; 2,5÷5,5В; SO16; 1,1мА
IC: Oпераційний підсилювач; 2÷12МГц; Ch: 8; 2,5÷5,5В; SO16; 1,1мА

141,92 грн

Вид об'єднаної схеми:
programmable gain amplifiers PGAs
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
SPI
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 4; 2,1÷5,5ВDC; SO14; 3,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 4; 2,1÷5,5ВDC; SO14; 3,5мВ

61,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
3,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5пА