IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5; 70мкА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MCP6401RT-E/OT
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MCP6401RT-E/OT
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 4,5мВ
Діапазон напруги живлення: 1,8...6В DC
Кількість каналів: 1
Корпус: SOT23-5
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 1МГц
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Струм без навантаження: 70мкА
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,5В/мкс
Недоступний
IC: цифровий; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP14; 74LVC; -40÷125°C
IC: цифровий; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP14; 74LVC; -40÷125°C

43,72 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид затвору:
XOR
Кількість виходів:
4
Кількість каналів:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 9,31Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
9,31Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

771,03 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; ERJ6BQF
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; ERJ6BQF

2,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 13,7Ом; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 13,7Ом; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
13,7Ом
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1206; 100мкГн; 80мА; R: 15,6Ом; -30÷105°C
Реактор: дротяний; SMD; 1206; 100мкГн; 80мА; R: 15,6Ом; -30÷105°C

8,43 грн

Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2,05кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,05кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
2,05кОм
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 2; 3÷15,5ВDC; VSSOP8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 2; 3÷15,5ВDC; VSSOP8

85,53 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Діапазон напруги живлення:
3...15,5В DC
Кількість каналів:
2
Корпус:
VSSOP8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 130дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 130дБ

193,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
high voltage gain
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,8мВ
Вхідний поляризаційний струм:
4пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; SO8; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; SO8; туба

253,42 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...2,75В DC; 2,7...5,5В DC
Кількість каналів:
2
IC: підсилювач PGA; 1,5МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC,9÷36ВDC; SO8; 200мкВ
IC: підсилювач PGA; 1,5МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC,9÷36ВDC; SO8; 200мкВ

700,71 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 4,5...18В DC; 9...36В DC
Кількість в наборі/упаковці:
75шт.
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; Uробоча: 2,2÷5,5В; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; Uробоча: 2,2÷5,5В; SO8

160,29 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Кількість каналів:
2
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-6; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-6; 2мВ

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
525пА
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 1; ±5÷20ВDC,10÷40ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 1; ±5÷20ВDC,10÷40ВDC; SO8

113,41 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Діапазон напруги живлення:
± 5...20В DC; 10...40В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8