IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; SO8; 0,4мВ; 5пА

Немає в наявності
Код товару: TLV9002IDR
13,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: TLV9002IDR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Властивості інтегральних мікросхем: low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 0,4мВ
Вхідний поляризаційний струм: 5пА
Діапазон напруги живлення: 1,8...5,5В DC
Кількість каналів: 2
Корпус: SO8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 1МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 2В/мкс
Недоступний
Резистор: thin film; 536Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 536Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1206

3,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 7,2ВDC; Iвих: 833мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 7,2ВDC; Iвих: 833мА

903,45 грн

Вихідна напруга:
7,2В DC
Вихідний струм:
0,833А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,55кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 2,55кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 590Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 590Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
590Ом
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷13ВDC,3÷26ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷13ВDC,3÷26ВDC

15,84 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...13В DC; 3...26В DC
Кількість каналів:
4
Корпус:
SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷6ВDC; SO8; 0,1мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷6ВDC; SO8; 0,1мВ

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
Діапазон напруги живлення:
2,7...6В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 2; ±5÷18ВDC,10÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 2; ±5÷18ВDC,10÷36ВDC; SO8

79,19 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,3мВ
Діапазон напруги живлення:
± 5...18В DC; 10...36В DC
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; VSSOP8; IB: 200пА
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; VSSOP8; IB: 200пА

255,96 грн

Вид об'єднаної схеми:
джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
micropower; rail-to-rail output; zero-drift; програмоване підсилення
Вхідний поляризаційний струм:
0,2нА
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; ±4÷18ВDC,8÷36ВDC; SO8
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; ±4÷18ВDC,8÷36ВDC; SO8

528,38 грн

Вид об'єднаної схеми:
джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
програмоване підсилення
Вхідний поляризаційний струм:
20нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 2,7÷5,5ВDC; TSSOP14; 1,7мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 2,7÷5,5ВDC; TSSOP14; 1,7мВ

76,03 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,7мВ
Діапазон напруги живлення:
2,7...5,5В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±3,5÷18ВDC,7÷36ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±3,5÷18ВDC,7÷36ВDC; SO14

44,35 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Діапазон напруги живлення:
± 3,5...18В DC; 7...36В DC