IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; TSSOP8; 0,4мВ

Немає в наявності
Код товару: TLV9002IPWR
13,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: TLV9002IPWR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Властивості інтегральних мікросхем: low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 0,4мВ
Вхідний поляризаційний струм: 5пА
Діапазон напруги живлення: 1,8...5,5В DC
Кількість каналів: 2
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 1МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 2В/мкс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
15нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,9пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 487кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 487кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 549Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 549Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; 6÷36ВDC; SO14; 3мВ; IB: 20нА
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; 6÷36ВDC; SO14; 3мВ; IB: 20нА

28,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
20нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8

17,74 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Діапазон напруги живлення:
± 3...18В DC; 6...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; ±3,5÷18ВDC,7÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; ±3,5÷18ВDC,7÷36ВDC; SO8

38,01 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Діапазон напруги живлення:
± 3,5...18В DC; 7...36В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 1; 1,5÷30ВDC; SOT23-5; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 1; 1,5÷30ВDC; SOT23-5; 2мВ

40,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Діапазон напруги живлення:
1,5...30В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 35МГц; Ch: 1; ±1,25÷6ВDC,2,5÷12ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 35МГц; Ch: 1; ±1,25÷6ВDC,2,5÷12ВDC

41,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
voltage feedback
Вхідна напруга зміщення нуля:
50мкВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,25...6В DC; 2,5...12В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 2; Uробоча: 2,7÷16В; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 2; Uробоча: 2,7÷16В; SO8

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Кількість каналів:
2
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

181,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,25мВ
Вхідний поляризаційний струм:
5нА