IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±3,5÷18ВDC,7÷36ВDC; SO14

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: TL064IDR
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TL064IDR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 3мВ
Діапазон напруги живлення: ± 3,5...18В DC; 7...36В DC
Кількість каналів: 4
Корпус: SO14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 1МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 3,5В/мкс
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 24,4В; 16,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 24,4В; 16,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ

3,04 грн

Зворотна напруга макс.:
22В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
24,4В
Connector: wire-board; male; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 10; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 10; shrouded

236,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
10
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SOIC8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SOIC8

76,66 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ; туба

65,89 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА

28,51 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 4,4МГц; Ch: 1; SSOP5; 0,005мВ; IB: 0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 4,4МГц; Ch: 1; SSOP5; 0,005мВ; IB: 0,5пА

207,81 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5пА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 3,2МГц; Ch: 1; 0,1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 3,2МГц; Ch: 1; 0,1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА

25,91 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 7МГц; Ch: 2; MSOP8; 0,01мВ; IB: 0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 7МГц; Ch: 2; MSOP8; 0,01мВ; IB: 0,5пА

38,08 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5пА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; TSSOP8; 1мВ; IB: 40000пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; TSSOP8; 1мВ; IB: 40000пА

13,68 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
40нА
Вхідний струм зміщення нуля:
40нА
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; Вид схемы: джерело живлення
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; Вид схемы: джерело живлення

29,84 грн

Вид об'єднаної схеми:
джерело живлення
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMT
Робоча температура:
-40...125°C