IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 50000пА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BD12734FV-GE2
28,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 143
Код товару: BD12734FV-GE2
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 1мВ
Вхідний поляризаційний струм: 50нА
Вхідний струм зміщення нуля: 50нА
Кількість каналів: 4
Корпус: SSOP-B14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 1МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,4В/мкс
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 6,3ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 6,3ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TAJ

23,06 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; 3÷30ВDC; miniSO8; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; 3÷30ВDC; miniSO8; 9мВ

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,2мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 11МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 11МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

254,06 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,22мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...20В DC; 4,5...40В DC
IC: вимірювальний підсилювач; 400кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 20В/В
IC: вимірювальний підсилювач; 400кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 20В/В

171,06 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
25мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±3,5÷18ВDC; SO8; 3мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±3,5÷18ВDC; SO8; 3мВ

61,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
8нА
Вхідний струм зміщення нуля:
4нА
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 4; ±2,5÷15ВDC,5÷30ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 4; ±2,5÷15ВDC,5÷30ВDC; SO14

36,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідний поляризаційний струм:
0,8мкА
Вхідний струм зміщення нуля:
175нА
IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 2; Uробоча: 2,7÷5,5В; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 2; Uробоча: 2,7÷5,5В; SO8

121,64 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; низький рівень шуму; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,23пА
Кількість каналів:
2