IC: Oпераційний підсилювач; 2,1МГц; Ch: 1; 2÷22ВDC; SO8; 6,5мВ

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MC33171DT
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MC33171DT
Виробник: STMicroelectronics
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: low power
Вхідна напруга зміщення нуля: 6,5мВ
Діапазон напруги живлення: 2...22В DC
Кількість каналів: 1
Корпус: SO8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...105°C
Смуга передачі: 2,1МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 2В/мкс
Недоступний
Модуль: діодний; одиночний діод; 1,2кВ; If: 64А; SEMIPACK2; 168А
Модуль: діодний; одиночний діод; 1,2кВ; If: 64А; SEMIPACK2; 168А

3558,04 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMIPACK2
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 24,4В; 16,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 24,4В; 16,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ

3,04 грн

Зворотна напруга макс.:
22В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
24,4В
Connector: wire-board; male; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 10; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 10; shrouded

236,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
10
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SOIC8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SOIC8

76,66 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC

48,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
7,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
IC: вимірювальний підсилювач; 150кГц; Ch: 1; SO16; 4В/В,10кВ/В
IC: вимірювальний підсилювач; 150кГц; Ch: 1; SO16; 4В/В,10кВ/В

353,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
50мкВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...18В DC; 2,7...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 100кГц; Ch: 1; ±2,3÷5,5ВDC; SO8; 0,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 100кГц; Ch: 1; ±2,3÷5,5ВDC; SO8; 0,5мВ

117,84 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low offset; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
60пА
Вхідний струм зміщення нуля:
10пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8

53,22 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
2
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; SO8; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; SO8; 2мВ

57,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; ±2,3÷18ВDC; SO8; 125мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; ±2,3÷18ВDC; SO8; 125мкВ

952,86 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,125мВ
Вхідний поляризаційний струм:
2нА
Вхідний струм зміщення нуля:
1нА
IC: Oпераційний підсилювач; 16МГц; Ch: 2; ±1,5÷18ВDC,3÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 16МГц; Ch: 2; ±1,5÷18ВDC,3÷36ВDC; SO8

816,65 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...18В DC; 3...36В DC
Кількість каналів:
2