IC: Oпераційний підсилювач; 2,3МГц; Ch: 1; SSOP5; 0,1мВ; IB: 1пА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BD87521YG-CTR
33,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 122
Код товару: BD87521YG-CTR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 0,1мВ
Вхідний поляризаційний струм: 1пА
Вхідний струм зміщення нуля: 1пА
Кількість каналів: 1
Корпус: SSOP5
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 2,3МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 2,4В/мкс
Провід; BiTOne; H05V-K; тросик; Cu; 0,5мм2; ПВХ; фіолетовий; 100м
Провід; BiTOne; H05V-K; тросик; Cu; 0,5мм2; ПВХ; фіолетовий; 100м

7,35 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
H05V-K
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±1%; CQ; 200В

2,71 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 82Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 82Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

3,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1нФ
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка

432,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO35
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В

0,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; 3,5÷5,5ВDC; TSSOP8; 2,3мВ
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; 3,5÷5,5ВDC; TSSOP8; 2,3мВ

77,93 грн

Вид об'єднаної схеми:
джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
2,3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7мкА
IC: вимірювальний підсилювач; 210кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SOT23-5
IC: вимірювальний підсилювач; 210кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SOT23-5

22,17 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
±1% accuracy
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 4,6МГц; Ch: 1; ±2,7÷5,5ВDC; TSOT23-6
IC: Oпераційний підсилювач; 4,6МГц; Ch: 1; ±2,7÷5,5ВDC; TSOT23-6

72,23 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Діапазон напруги живлення:
± 2,7...5,5В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,2мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; SOP14; 1мВ; IB: 15000пА
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; SOP14; 1мВ; IB: 15000пА

28,38 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
15нА
Вхідний струм зміщення нуля:
15нА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; SOP8; 1мВ; IB: 40000пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; SOP8; 1мВ; IB: 40000пА

13,68 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
40нА
Вхідний струм зміщення нуля:
40нА
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 2; SOP8; 0,0017мВ; IB: 0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 2; SOP8; 0,0017мВ; IB: 0,5пА

55,12 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,0017мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5пА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,5пА