IC: Oпераційний підсилювач; 2,3МГц; Ch: 2; SOP8; 0,1мВ; IB: 1пА

Немає в наявності
Код товару: BD87522FJ-LBE2
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 71
Код товару: BD87522FJ-LBE2
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 0,1мВ
Вхідний поляризаційний струм: 1пА
Вхідний струм зміщення нуля: 1пА
Кількість каналів: 2
Корпус: SOP8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 2,3МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 2,4В/мкс
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; THT; 720Ом
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; THT; 720Ом

55,75 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Кількість пін:
4
Кількість режмів роботи:
1
Роз’єм: клапанний; промислова; 9,4мм; PIN: 2; 16А; 250В; MPM; 2P
Роз’єм: клапанний; промислова; 9,4мм; PIN: 2; 16А; 250В; MPM; 2P

188,80 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Кількість пін:
2
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 68Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Датчик: рівня; G 1"; 10÷30ВDC; IP65,IP67,Nema 4X; рідини; FTL31
Датчик: рівня; G 1"; 10÷30ВDC; IP65,IP67,Nema 4X; рідини; FTL31

13415,50 грн

Вид виходу 1:
PNP
Вид датчика:
вібраційний
Використання:
рідини
Додаткові функції:
приварний адаптер
Недоступний
Зонд: до скопометру; пасивний; 500МГц; Перед: 10: 1; 1,2м
Зонд: до скопометру; пасивний; 500МГц; Перед: 10: 1; 1,2м

19000,28 грн

Вид щупа:
пасивний
Довжина проводу:
1,2м
Передача:
10:1
Смуга:
500МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±2%; 150В
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±2%; 150В

0,08 грн

Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC,9÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC,9÷36ВDC; SO8

188,17 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 4,5...18В DC; 9...36В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 4; ±2,5÷18ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 4; ±2,5÷18ВDC; SO14

767,23 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC
Кількість каналів:
4
Корпус:
SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

90,60 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
4
IC: Oпераційний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8

178,03 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 3...18В DC; 6...36В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 9МГц; Ch: 2; ±4,5÷22ВDC; SO8; 1,25мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 9МГц; Ch: 2; ±4,5÷22ВDC; SO8; 1,25мВ

276,86 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,25мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,4мкА
Вхідний струм зміщення нуля:
100нА
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; ±2,25÷8ВDC,4,5÷16ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; ±2,25÷8ВDC,4,5÷16ВDC

103,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
широкосмуговий
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±1,35÷2,75ВDC,2,7÷5,5ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±1,35÷2,75ВDC,2,7÷5,5ВDC

167,26 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...2,75В DC; 2,7...5,5В DC
Кількість каналів:
2