IC: Oпераційний підсилювач; 2,8МГц; Ch: 1; SSOP5; 1мВ; IB: 1пА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BU7481G-TR
17,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 203
Код товару: BU7481G-TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Властивості інтегральних мікросхем: High Speed
Вхідна напруга зміщення нуля: 1мВ
Вхідний поляризаційний струм: 1пА
Вхідний струм зміщення нуля: 1пА
Кількість каналів: 1
Корпус: SSOP5
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 2,8МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 3,2В/мкс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V

73,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Провід: управління; chainflex® CF10; 25G0,75мм2; чорний; тросик
Провід: управління; chainflex® CF10; 25G0,75мм2; чорний; тросик

2083,12 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; P; 7,1x6,6x2,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; P; 7,1x6,6x2,8мм

26,80 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,1x6,6x2,8мм
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,9В; DO35; 2,5мкА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 3,9В; DO35; 2,5мкА; Ufmax: 1,1В

274,96 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 2,2мкГн; Iробочий: 2,3А; ±20%; Isat: 3А
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 2,2мкГн; Iробочий: 2,3А; ±20%; Isat: 3А

5,77 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Корпус - дюйм:
1008
Корпус - мм:
2520
Варистор: металооксидний; THT; 60ВAC; 81ВDC; 100В; 1,2кА; Ø: 7мм
Варистор: металооксидний; THT; 60ВAC; 81ВDC; 100В; 1,2кА; Ø: 7мм

16,47 грн

Висота:
7мм
Діаметр:
7мм
Енергія 2 мс:
5Дж
Монтаж:
THT
IC: Oпераційний підсилювач; 14МГц; Ch: 4; ±2,25÷18ВDC,±4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 14МГц; Ch: 4; ±2,25÷18ВDC,±4,5÷36ВDC

398,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
15нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

1587,69 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
2
IC: Oпераційний підсилювач; 75кГц; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 3,3мВ; IB: 4пА
IC: Oпераційний підсилювач; 75кГц; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 3,3мВ; IB: 4пА

122,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
3,3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
4пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

120,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,004мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 1; ±5÷30ВDC; SO8; 900мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 1; ±5÷30ВDC; SO8; 900мкВ

1374,18 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,9мВ
Діапазон напруги живлення:
± 5...30В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

199,57 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 1; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 1; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
6,6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА