IC: Oпераційний підсилювач; 200кГц; Ch: 4; ±2,2÷8ВDC,4,4÷16ВDC

Немає в наявності
Код товару: TLC2254IN
202,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TLC2254IN
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид упаковки: туба
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 1,75мВ
Вхідний поляризаційний струм: 1нА
Вхідний струм зміщення нуля: 1нА
Діапазон напруги живлення: ± 2,2...8В DC; 4,4...16В DC
Кількість каналів: 4
Корпус: DIP14
Монтаж: THT
Смуга передачі: 0,2МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,12В/мкс
Діод: TVS; 1,5кВт; 53,3В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 53,3В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

12,23 грн

Зворотна напруга макс.:
48В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 6x20AWG; неекранований; 300В; 152м
Провід; Alpha Essential C&C; 6x20AWG; неекранований; 300В; 152м

27908,04 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I/II A/B; CSA FT4; UL 2464
Недоступний
Резистор: thin film; 38,3Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 38,3Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0402
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0402

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 43В; SMD; DO213AB; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 43В; SMD; DO213AB; 50нА

697,54 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
43В
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 6,67÷7,37В; 38,8А; односпрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 6,67÷7,37В; 38,8А; односпрямована; DO214AC,SMA

2,48 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
6,67...7,37В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 120мОм; ±20%; NRS; 1,6А; 8x8мм
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 120мОм; ±20%; NRS; 1,6А; 8x8мм

12,86 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо; ферит
Монтаж:
SMD
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC

47,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
13мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...20В DC; 4,5...40В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 70÷130кГц; Ch: 2; ±2÷8ВDC,4÷16ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 70÷130кГц; Ch: 2; ±2÷8ВDC,4÷16ВDC

104,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2...8В DC; 4...16В DC
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 1; ±20ВDC; TO5; 15мВ; Ch: single
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 1; ±20ВDC; TO5; 15мВ; Ch: single

711,48 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
15мВ
Діапазон напруги живлення:
± 20В DC
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
TO5
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷22ВDC,4÷44ВDC; DIP14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷22ВDC,4÷44ВDC; DIP14

449,82 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2...22В DC; 4...44В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 730кГц; Ch: 2; ±2,2÷8ВDC,4,4÷16ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 730кГц; Ch: 2; ±2,2÷8ВDC,4,4÷16ВDC

96,30 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
800пА
IC: Oпераційний підсилювач; 100кГц; Ch: 1; ±5÷18ВDC,10÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 100кГц; Ch: 1; ±5÷18ВDC,10÷36ВDC

867,34 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
7,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,25мкА
Вхідний струм зміщення нуля:
50нА
Діапазон напруги живлення:
± 5...18В DC; 10...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 3,3МГц; Ch: 4; ±5÷15ВDC,10÷30ВDC; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 3,3МГц; Ch: 4; ±5÷15ВDC,10÷30ВDC; туба

217,31 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low offset
Вхідна напруга зміщення нуля:
2,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
4нА