IC: Oпераційний підсилювач; 20МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; TSSOP14; 3мВ

Немає в наявності
Код товару: TSV994AIPT
81,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSV994AIPT
Виробник: STMicroelectronics
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 3мВ
Вхідний поляризаційний струм: 0,1нА
Вхідний струм зміщення нуля: 0,1нА
Діапазон напруги живлення: 2,5...5,5В DC
Кількість каналів: 4
Корпус: TSSOP14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 20МГц
Струм без навантаження: 1,1мА
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 10В/мкс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF

0,34 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 60Ом; SMD; 1А; 0603; R: 0,1Ом; BLM; 180мм
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 60Ом; SMD; 1А; 0603; R: 0,1Ом; BLM; 180мм

8,87 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
60Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 2,52кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 2,52кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
13мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
IC: Oпераційний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8

120,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low offset
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
6нА
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 4; 4÷36ВDC; SO14; 5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 4; 4÷36ВDC; SO14; 5мВ

72,23 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,7мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC,9÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC,9÷36ВDC; SO8

188,17 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 4,5...18В DC; 9...36В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 4; ±2,5÷18ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 4; ±2,5÷18ВDC; SO14

767,23 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC
Кількість каналів:
4
Корпус:
SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

90,60 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
4
IC: Oпераційний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 600кГц; Ch: 1; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; SO8

178,03 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 3...18В DC; 6...36В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8