IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BU7264YFV-CE2
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 41
Код товару: BU7264YFV-CE2
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Властивості інтегральних мікросхем: low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 1мВ
Вхідний поляризаційний струм: 1пА
Вхідний струм зміщення нуля: 1пА
Кількість каналів: 4
Корпус: SSOP-B14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 2МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 1,1В/мкс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; SMT; 3A; 100V

125,44 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; SMT; 3A; 100V

548,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 100V

124,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -25÷85°C; 1,7÷1,95В
IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -25÷85°C; 1,7÷1,95В

4068,68 грн

Вид пам’яті:
DRAM; LPDDR4; SDRAM
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,7...1,95В
Пам'ять:
16Гб DRAM
Резистор: thick film; 20кОм; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 20кОм; 1,6x0,8x0,45мм

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Зовнішні розміри:
1,6x0,8x0,45мм
Опір:
20кОм
Розміри корпусу:
1,6x0,8x0,45мм
Недоступний
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 200-600%@5mA
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 200-600%@5mA

112,14 грн

CTR@If:
200-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
IC: Oпераційний підсилювач; 14МГц; Ch: 4; ±2,25÷18ВDC,±4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 14МГц; Ch: 4; ±2,25÷18ВDC,±4,5÷36ВDC

398,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
15нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

1587,69 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
2
IC: Oпераційний підсилювач; 75кГц; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 3,3мВ; IB: 4пА
IC: Oпераційний підсилювач; 75кГц; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 3,3мВ; IB: 4пА

122,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
3,3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
4пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

120,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,004мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 1; ±5÷30ВDC; SO8; 900мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 1; ±5÷30ВDC; SO8; 900мкВ

1374,18 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,9мВ
Діапазон напруги живлення:
± 5...30В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

199,57 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 1; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 1; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
6,6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА