IC: Oпераційний підсилювач; 7МГц; Ch: 4; SSOP-B14; 0,01мВ; IB: 0,5пА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BD7284YFV-CE2
86,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 37
Код товару: BD7284YFV-CE2
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail; низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля: 10мкВ
Вхідний поляризаційний струм: 0,5пА
Вхідний струм зміщення нуля: 0,5пА
Кількість каналів: 4
Корпус: SSOP-B14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 7МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 10В/мкс
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; TSSOP20; 1,7÷3,6ВDC; STM32G0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; TSSOP20; 1,7÷3,6ВDC; STM32G0

106,44 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
12bit ADC; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; LPUART; SPI x2; USART x2
Недоступний
Резистор: thin film; 309Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 309Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2,55кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,55кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
2,55кОм
Connector: wire-board; socket; data; PIN: 35; EXTREME; angled; THT
Connector: wire-board; socket; data; PIN: 35; EXTREME; angled; THT

767,87 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
35
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 33,2Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33,2Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В

0,52 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 105Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 105Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

33,13 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 4; 6÷36ВDC; SO14; 5мВ; IB: 20нА
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 4; 6÷36ВDC; SO14; 5мВ; IB: 20нА

83,63 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
20нА
IC: вимірювальний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 3,5÷5,5ВDC; TSSOP8
IC: вимірювальний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 3,5÷5,5ВDC; TSSOP8

83,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,5мВ
Діапазон напруги живлення:
3,5...5,5В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 16МГц; Ch: 2; Uробоча: 5÷18В; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 16МГц; Ch: 2; Uробоча: 5÷18В; SO8

47,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Кількість каналів:
2
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 80МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 80МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

207,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...18В DC; 4,5...36В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач
IC: Oпераційний підсилювач

23,95 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
Oпераційний підсилювач
IC: Oпераційний підсилювач; 25МГц; Ch: 2; 2,2÷5,5ВDC; MSOP8; IB: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 25МГц; Ch: 2; 2,2÷5,5ВDC; MSOP8; IB: 1пА

86,16 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-0,18...0,18мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

12,92 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,2мкА